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SiCの記事一覧

全35件中 1〜10件目を表示

  • 2026年以降の半導体成長を支える技術基盤とは

    生成AIの急速な普及や、様々なモノの電動化の進展を背景に、半導体市場は2026年以降も中長期的な成長軌道を描くと見込まれている。先端ロジック半導体では、AI処理能力のさらなる高度化に向けて微細化競争が続く一方、電力インフ...

    2026.01.05

  • オキサイドパワークリスタルなど、結晶欠陥が少ない製法による6インチSiCウエハーを開発

    オキサイドパワークリスタル、マイポックス、UJ-Crystal、アイクリスタル、産業技術総合研究所、名古屋大学の開発グループは、結晶欠陥が少ない溶液成長法を用いて、6インチのp型SiCウエハーの試作に成功したと発表した（...

    2025.12.19

  • OKIら，異種材料接合でテラヘルツデバイス量産確立

    OKIとNTTイノベーティブデバイスは，結晶薄膜を剥離し，異なる材料の基板やウエハーに異種材料接合するOKI独自の技術であるCFB（Crystal Film Bonding）技術を用いて，InP系UTC-PD（単一走行キ...

    2025.07.18

  • 阪大ら，SiCの界面発光中心のエネルギー準位を解明

    大阪大学と豊田中央研究所は，絶縁膜/炭化ケイ素（SiC）界面発光中心のエネルギー準位を解明することに成功した（ニュースリリース）。 炭化ケイ素（SiC）は，量子材料であるダイヤモンドと同様の優れた材料物性を示し，ダイヤモ...

    2025.03.04

  • 三菱電機，米CoherentのSiC事業会社へ出資

    三菱電機は，同社のSiCパワーデバイス事業拡大を目的に，米Coherent Corp.（Coherent）がSiC事業を分社化して設立する新会社へ5億米ドル（約750億円）を出資することについて，Coherentと合意し...

    2023.10.18

  • 東北大ら，結晶構造が異なるSiC同士の積層に成功

    東北大学と技術コンサルタントのCUSICは，3C-SiCと4H-SiCを積層させたハイブリッド構造基板を同時横方向エピタキシャル成長法を用いて製作することに世界で初めて成功した（ニュースリリース）。 SiCの単結晶基板を...

    2023.09.29

  • QST，SiC量子センサーの高感度化を実現

    量子科学技術研究開発機構（QST）は，省エネ性能や高電圧でも使用可能なパワー半導体として期待されているシリコンカーバイド（SiC）半導体の量子センサーを使った温度測定において高感度化を実現することで，これまで計測可能であ...

    2023.09.06

  • 阪大，SiCの絶縁膜界面の欠陥を大幅に低減

    大阪大学の研究グループは，炭化珪素（SiC）パワーデバイスの心臓部となる絶縁膜界面の欠陥を大幅に低減する事に成功した（ニュースリリース）。 パワーデバイスは，電力の変換と制御を司り，従来はシリコン半導体を用いて製造されて...

    2023.08.03

  • 早大ら，半導体表面を原子レベルの平坦にする現象

    早稲田大学，名古屋大学，中国内モンゴル民族大学，日本原子力研究開発機構は，半導体表面を原子レベルで平坦にする新技術として応用可能な，ステップアンバンチング現象を発見した（ニュースリリース）。 SiCウエハーの表面に凹凸が...

    2023.07.21
  • semi

    佐賀大，ダイヤモンド半導体パワー回路を開発

    佐賀大学の研究グループは，次世代の究極のパワー半導体のダイヤモンド半導体デバイスで，世界で初めてパワー回路を開発した（ニュースリリース）。 ダイヤモンド半導体は，従来のシリコン，シリコンカーバイド，窒化ガリウム，と比べ，...

    2023.04.21

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