イベントカレンダー
検索ワード
期間
〜

SiC

SiCの記事一覧

全35件中 11〜20件目を表示

  • 名工大，SiCパワー半導体で長いキャリア寿命を測定

    名古屋工業大学の研究グループは，超高耐圧シリコンカーバイド（SiC）パワー半導体の性能を決定するキャリア寿命を測定し，高品質SiC結晶では高い励起キャリア濃度においては従来の値よりもキャリア寿命が長いことを発見した（ニュ...

    2023.01.13

  • 関学ら，SICウェハーの全面加工歪みを光学検出

    関西学院大学，豊田通商，山梨技術工房は，パワー半導体材料であるSiC（炭化ケイ素）ウエハーの製造プロセスで生じる結晶の歪み（加工歪み層）を検査する技術を共同で開発した（ニュースリリース）。 現在普及しているパワー半導体材...

    2022.09.09

  • 名工大ら，中性子ホロでSiCのドーパントを観察

    名古屋工業大学，茨城大学，広島市立大学，日本原子力研究開発機構は，研究グループで開発・実用化した日本発「白色中性子ホログラフィー」を用いて，代表的パワーデバイス半導体材料である炭化ケイ素（SiC）の微量添加元素であるホウ...

    2022.04.04

  • 神大ら，SiC中の高密度窒素層のふるまいを予測

    神戸大学と北海道大学の研究グループは，第一原理計算に基づいたSiC中の高密度窒素層の構造モデルの提案を行なった（ニュースリリース）。 パワーエレクトロニクス用途向けの次世代半導体材料として注目を集めているSiCはMOSF...

    2021.12.02

  • 立命大，SiCの高効率研磨技術を開発

    立命館大学の研究グループは，パワー半導体材料であるSiC（炭化ケイ素）の高効率研磨技術の開発に成功した（ニュースリリース）。 SiCはその優れた特性から，電気自動車や鉄道車両等に搭載される電力制御装置などへの応用が進めら...

    2021.12.01

  • 京大，SiCトランジスタ性能を6~80倍超向上

    京都大学の研究グループは，SiC半導体で問題になっていた欠陥を大幅に低減し，実用的な構造でSiCトランジスタの性能を6倍以上向上した（ニュースリリース）。 半導体パワーデバイスに主に使われているSiは理論限界に達しつつあ...

    2021.10.27

  • 産総研ら，大口径SiCウエハーの高速研磨に成功

    産業技術総合研究所（産総研），ミズホ，不二越機械工業は，SiCウエハーの平坦化を高速で達成するラッピング技術を開発した（ニュースリリース）。 SiCウエハーは加工の難しい高硬脆材料で，これまでウエハーの平坦化は，研削加工...

    2021.09.01

  • 産総研，SiCモノリシックパワーICを開発

    産業技術総合研究所（産総研）は，炭化ケイ素（SiC）半導体を用い，耐電圧1.2kVクラスの縦型MOSFETと，CMOSで構成された駆動回路を同一チップに集積したモノリシックパワーICを世界で初めて実現し，そのスイッチング...

    2021.05.31

  • 関学ら，6インチSiC基板の欠陥ゼロ技術を実現

    関西学院大学と豊田通商は，次世代パワー半導体材料SiC（炭化ケイ素：シリコンカーバイド）基板内の欠陥を無害化する表面ナノ制御プロセス技術 「Dynamic AGE-ing」を開発し，6インチSiC基板での性能検証を完了し...

    2021.03.02

  • 名工大ら，SiCの電気特性を光学的に評価

    名古屋工業大学，富士電機，電力中央研究所，昭和電工，産業技術総合研究所は，SiC中の電気特性の微細な分布を世界最高の空間分解能で測定する技術を確立し，装置を開発した（ニュースリリース）。 SiC結晶によるパワーデバイスは...

    2020.09.10

新着ニュース

人気記事

編集部おすすめ

  • オプトキャリア

ページトップへ戻る
ページトップへ戻る