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SiC

SiCの記事一覧

全35件中 21〜30件目を表示

  • 京大ら，SiCパワー半導体の欠陥を1桁低減

    京都大学と東京工業大学は，省エネの切り札と言われるSiC半導体で20年以上にわたって大きな問題になっていた欠陥を1桁低減し，約10倍の高性能化に成功した（ニュースリリース）。 近年，低損失化を⽬指してSiよりも性質の優れ...

    2020.08.25

  • 名工大，光照射でSiC結晶表面への電流を数値化

    名古屋工業大学の研究グループは，SiC結晶の表面への電流の流れを，様々な温度や表面の状態において，数値化することに成功した（ニュースリリース）。 電車や自動車の速度の制御や，送配電系統の電圧の変換には半導体素子であるパワ...

    2020.05.20

  • 名工大，SiCの電気特性をレーザーで非破壊検査

    名古屋工業大学はSiC結晶を壊すことなく，内部の電気特性を測る手法を世界で初めて開発した（ニュースリリース）。 大電力の電圧変換に用いられるパワーデバイスとして，シリコンカーバイド（SiC）の採用が期待されている。大きな...

    2018.12.19

  • 産総研ら，SiCを用いた次世代トランジスタ構造を開発

    産業技術総合研究所（産総研）は，富士電機，住友電気工業，トヨタ自動車，東芝，三菱電機との共同で，炭化ケイ素（SiC）半導体を用いた1.2kV耐電圧（耐圧）クラスの縦型スーパージャンクション（SJ）MOSFETを開発し，S...

    2018.12.05

  • 三菱電機ら，ノイズの影響を受けにくいSiC半導体の動作原理を考案

    三菱電機と東京大学は，パワーエレクトロニクス機器に搭載されるSiCパワー半導体素子において，外部からの電磁ノイズの影響を受けにくい動作原理を世界で初めて考案した（ニュースリリース）。 パワーエレクトロニクス機器の，さらな...

    2018.12.04

  • 住友電工ら，SiCトランジスタで最小オン抵抗を実現

    住友電気工業は，産業技術総合研究所（産総研）らとの共同研究で，炭化ケイ素（SiC）半導体を用いたV溝型スーパージャンクショントランジスタを開発し，SiCトランジスタの世界最小オン抵抗を達成した（ニュースリリース）。 同社...

    2018.12.04

  • 東芝，GaN-MOSFETの信頼性を向上するプロセスを開発

    東芝は，次世代の半導体パワーデバイスとして期待されるGaNパワーデバイス向けに，信頼性向上に繋がるゲート絶縁膜プロセス技術を開発した（ニュースリリース）。 この技術により，閾値電圧変動等の特性変動が大幅に低減できる。この...

    2017.12.07

  • 三菱電機ら，SiCパワー半導体の抵抗要因の影響度を解明

    三菱電機と東京大学は，世界で初めて，パワー半導体モジュールに搭載されるSiCパワー半導体素子の抵抗の大きさを左右する電子散乱を起こす3つの要因の影響度を解明するとともに，要因の一つである電荷による電子散乱の抑制により，界...

    2017.12.07

  • 東北大ら，グラフェンとSiCの界面にフォノンを発見

    東北大学，東京大学，物質材料研究機構らの研究グループは，シリコンカーバイド（SiC）上のエピタキシャルグラフェンにおいて，走査トンネル顕微鏡（STM）による電流測定に現れるフォノンのシグナルの空間依存性を高精度に測定し，...

    2017.10.20

  • 2023年WBG半導体単結晶市場，150億円規模に

    矢野経済研究所では，国内のワイドバンドギャップ（WBG）半導体単結晶市場の調査を実施した（ニュースリリース）。 それによると，Siより大きなバンドギャップを持ち，パワーデバイスとして期待されるWBG半導体単結晶は，市場化...

    2017.10.19

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