名古屋工業大学はSiC結晶を壊すことなく，内部の電気特性を測る手法を世界で初めて開発した（ニュースリリース）。
大電力の電圧変換に用いられるパワーデバイスとして，シリコンカーバイド（SiC）の採用が期待されている。大きな電力を制御するパワーデバイスを作るには，SiC結晶内部に均一に電気を流す特性を持たせなければならない。すでにSiC結晶によるパワーデバイスは次世代の新幹線などに採用されるなど，一部の分野で実用化が始まっており，大幅な消費電力の削減が報告されている。
しかしながら発電所から送電される電力など，さらに大きな電力の電圧変換するパワーデバイスを作るには，SiC結晶内部に均一に電気を流す特性を持たせなければならない。これまでその電気特性を測定するには，結晶を壊しながら行なう方法しかなかった。
今回研究グループは，励起光とプローブ光，2種類のレーザー光をマイクロメートルの大きさにして，SiC結晶に対して斜めに照射することにより，SiC結晶内部の電気特性を測る手法を世界で初めて開発した。この手法はSiC結晶を作った後，壊さずに電気特性の均一さを調べることに成功した。
研究グループは今回の研究により，今後SiCによる大電力パワーデバイスの開発を加速することができ，電力変換における消費電力の削減が期待できるとしている。
