名古屋工業大学，茨城大学，広島市立大学，日本原子力研究開発機構は，研究グループで開発・実用化した日本発「白色中性子ホログラフィー」を用いて，代表的パワーデバイス半導体材料である炭化ケイ素（SiC）の微量添加元素であるホウ素周辺の精密原子像取得に成功した（ニュースリリース）。
「白色中性子ホログラフィー」は，波長が原子サイズ程度の様々な波長をもつ中性子を試料に照射し，元素特有のガンマ線を観測することによって，100枚以上の異なる波長のホログラムを一度に測定できる手法。
この”多重波長ホログラム”を数値的に処理することによって，極めて精密な原子像を得ることができる。特に，水素やホウ素などの軽元素のイメージングに有効であることが実証されており，材料中の軽元素ドーパントの状態特定に期待されている。
パワー半導体として注目を集めているSiC（6H-SiC）の結晶構造は，一つの結晶サイトしかないシリコンのように単純ではなく，6つの異なる結晶サイトを有するより複雑な構造となっている。これらの半導体に機能性を持たせ動作させるためには，不純物（ドーパント）を微量添加させる必要がある。
SiCの6つのサイトのどこにホウ素が入るかによって，半導体としての性質が変わることが予測されているため，シリコンとは異なりドーパントのサイト制御も行う必要があり，より高度な結晶育成技術が要求されている。しかしながら，ホウ素や窒素などの軽元素のドーパントに対しては，適切な観測法がなく，どのサイトに入っているのか分かる手段がない状態だった。
研究グループは，「白色中性子ホログラフィー」を用いて，SiCの微量添加元素であるホウ素周辺の精密原子像取得に成功しした。その結果，6つある結晶サイトの2つにホウ素が優先的に侵入することが分かった。また，そのホウ素が近傍に不連続な界面を誘起することも分かった。
発見された特異構造は，X線回折や電子顕微鏡などの従来手法では発見できないもの。レアアースなどの希少元素を海外依存している日本では，豊富に存在している軽元素を添加して材料機能を強化する研究が，国家戦略の一つとして推進されている。
今回のパワー半導体に加え，革新畜電池や電気自動車モーターの磁石など，エネルギー関連の材料開発において軽元素の有効利用は重要なファクターとなる。研究グループは，このような観点から，今後，「白色中性子ホログラフィー」の役割はいっそう重要となり，新規材料開発に向けたブレークスルーに貢献することが期待されるとしている。
