オキサイドパワークリスタルなど、結晶欠陥が少ない製法による6インチSiCウエハーを開発

オキサイドパワークリスタル、マイポックス、UJ-Crystal、アイクリスタル、産業技術総合研究所、名古屋大学の開発グループは、結晶欠陥が少ない溶液成長法を用いて、6インチのp型SiCウエハーの試作に成功したと発表した(ニュースリリース)。

試作したSiC基板(セミコンジャパン2025にて撮影)

SiC(シリコンカーバイド)とは次世代パワー半導体材料で、電気自動車や鉄道、再生可能エネルギー用インバータなどに用いられる。その普及には、ウエハーの大口径化と結晶欠陥の低減による高品質化が強く求められている。

オキサイドパワークリスタルは、名古屋大学が開発した結晶欠陥を抑制できる溶液成長法と、自社およびパートナー企業が持つAIデジタルツイン技術と育成技術を組み合わせることで、これまで課題とされてきた大型化と結晶品質向上の両立に取り組んでいる。

今回の開発はNEDO(新エネルギー・産業技術総合開発機構)グリーンイノベーション基金事業「次世代デジタルインフラの構築」プロジェクトの一環として取り組んでいるものだが、今後もその連携のもと、社会実装に向けた段階的なステップを着実に進めることで、電力損失の低減とカーボンニュートラル社会の実現に貢献していくとしている。

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