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EUVの記事一覧

全54件中 11〜20件目を表示

  • 三井化学, EUV露光用CNTペリクルの生産設備を設置

    三井化学は，半導体の更なる微細化，生産性向上に不可欠な次世代の高NA，高出力EUV露光装置に対応したEUV露光用CNT（カーボンナノチューブ）ペリクルの生産設備を同社岩国大竹工場に設置することを決定した（ニュースリリース...

    2024.06.03

  • トッパンフォトマスクとIBM，2nm向けマスク開発へ

    トッパンフォトマスクは，次世代半導体向けの高NA EUVを含む，EUVリソグラフィを使用した2nmロジック半導体プロセスノード対応のフォトマスクに関する共同研究開発契約を，米IBMと締結したと発表した（ニュースリリース）...

    2024.02.09

  • 三井化学とimec，EUVで戦略的パートナーシップ締結

    三井化学とimecは，2023年12月13日，極端紫外線（EUV）露光用のカーボンナノチューブ（CNT）膜を使用した次世代ペリクルの事業化に向けた戦略的パートナーシップ契約を締結した（ニュースリリース）。 この戦略的パー...

    2023.12.19
  • DNP，3nm相当EUVフォトマスク製造プロセス開発

    DNP，3nm相当EUVフォトマスク製造プロセス開発

    大日本印刷（DNP）は，半導体製造の最先端プロセスのEUVリソグラフィに対応した，3nm相当のフォトマスク製造プロセスを開発した（ニュースリリース）。 近年，EUV光源を用いるEUVリソグラフィの技術が確立し，2023年...

    2023.12.13

  • 日立ハイテク，高精度電子線計測システムを発売

    日立ハイテクは，高精度電子線計測システム「GT2000」を発売すると発表した（ニュースリリース）。 半導体製造プロセスの進化に伴い，N2（2nm世代）およびA14（14Å世代）デバイスの研究開発が行なわれている。また，最...

    2023.12.13

  • 宇大ら，EUV変換効率の理論上限は10.3%と解明

    宇都宮大学，米パデュー大学，北海道大学，広島大学は，極端紫外 （EUV） 光源の変換効率の理論上限が10.3%であることとその条件を明らかにした（ニュースリリース）。 EUV変換効率の理論限界（上限）は 2006年に公表...

    2023.09.13

  • ウシオ電機，電子ビームの総代理店契約を締結

    ウシオ電機は，次世代電子ビーム生成技術を保有する，Photo electron Soul（PeS）へ出資し，電子ビーム方式半導体ウエハーパターン検査装置に搭載される半導体フォトカソードシングル電子ビーム生成システムの総代...

    2023.09.13

  • レーザーテック，高輝度EUVプラズマ光源を開発

    レーザーテックは，高輝度EUVプラズマ光源「URASHIMA」を新たに開発したと発表した（ニュースリリース）。 同社では，2019年に世界初となるアクティニックEUVパターンマスク欠陥検査装置「ACTIS A150」をリ...

    2023.09.13

  • 米マイクロン，DRAM向けEUV技術を国内初導入へ

    米Micron Technology, Inc.（マイクロンテクノロジー）は5月18日，EUV（極端紫外線）技術を同社広島工場はに導入し，1γ（1ガンマ）ノードによる次世代DRAMの製造を行なうと発表した（ニュースリリー...

    2023.05.18

  • AGC，EUVマスクブランクスの増産を決定

    AGCは，100%子会社のAGCエレクトロニクスにおけるEUV露光用フォトマスクブランクス（EUVマスクブランクス）の生産能力増強を決定したと発表した（ニュースリリース）。 EUVマスクブランクスは，非常に微細な半導体の...

    2023.05.09

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