日立ハイテクは，高精度電子線計測システム「GT2000」を発売すると発表した（ニュースリリース）。
半導体製造プロセスの進化に伴い，N2（2nm世代）およびA14（14Å世代）デバイスの研究開発が行なわれている。また，最先端デバイスにHigh-NA EUV露光が適用されることに加え，GAAやCFET構造などデバイス構造の複雑化が見込まれている。
これに伴い，最先端の半導体デバイスの研究段階においてはさまざまな材料や構造でも計測できるよう幅広い計測条件で高速にデータ取得できること，また量産段階においてはさらなる安定稼働と装置間の測長値差の一層の低減が求められている。
High-NA EUVリソグラフィー工程では使用するレジストの薄膜化が一層進むため，高精度に計測するにはレジストにできるだけダメージを与えずに計測することが求められている。この製品では，CD-SEMとしては初めてとなる超低加速電圧100V条件と，同社独自の高速スキャン機能を組み合わせ，低ダメージかつ高精度な計測を実現する。また，開発や試作工程で製造プロセス条件決めや異常検出を素早く行なうため超高速多点計測モードを搭載した。
また，GAAやCFETまた3Dメモリデバイスなどの構造をもつ3Dデバイスでは，従来の寸法計測に加えてパターンの深さや穴底・溝底の計測を行ないたいというニーズがある。この製品は反射電子を効率的に検出する新たな高感度反射電子用検出システムを搭載することで，複雑化するデバイス構造を高精度に撮像し，新たな計測アプリケーションの可能性を広げたという。
さらに，プロセスモニターを担うCD-SEMに求められる性能として最も重要なのは，複数台ある装置間での測長値差が小さいこと。この製品ではプラットフォームおよび電子光学系を刷新し，従来機で課題となっていた測長値差を引き起こす要因を徹底的に潰し込むことで，装置間での測長値差の極小化を実現した。
同社はこの製品をはじめとする電子線技術を用いた計測装置や，光学技術を用いたウェーハ検査装置を提供することで，ユーザーの半導体デバイスの開発・量産における計測・検査工程での多様なニーズに対応していくとしている。
