米マイクロン,DRAM向けEUV技術を国内初導入へ

米Micron Technology, Inc.(マイクロンテクノロジー)は5月18日,EUV(極端紫外線)技術を同社広島工場はに導入し,1γ(1ガンマ)ノードによる次世代DRAMの製造を行なうと発表した(ニュースリリース)。

これにより同社は,日本で初めて量産にEUV技術を導入する半導体企業となり,広島工場は1γノードの開発で重要な役割を果たすことになる。

経済産業省は,日本での最先端の半導体製造,サプライチェーンの強靭化,デジタル経済の強固な基盤構築を目的とした長期戦略を導入し,大規模な投資支援を行なっており,同社は日本政府による支援を前提に,次の数年で1γプロセス技術に最大5,000億円を投資する。

同社はメモリセルの微細化,性能を向上させるプロセス技術の進化により,メモリ密度の向上,消費電力効率の改善,ビット単価の低減を可能にし,デジタル化,サステナビリティとGX(グリーントランスフォーメーション),自動化に商機を創出してきた。

1γの導入は,現在,業界最先端のDRAMノードとなる1β(1ベータ)の開発に続くもの。広島工場で同社初となる1βによる量産を開始しており,広島で製造された1βベースの「LPDDR5X」メモリの出荷を開始している。

同社の1γノードは,昨年11月にモバイル顧客向けにサンプル出荷を開始しており,2025年以降に台湾と日本でEUVを用いて1γを立ち上げる計画を引き続き進捗させるという。

同社は日本国内に4,000人以上のエンジニアと技術者を擁し,過去5年間に国内で1,500人以上の人材を新規雇用している。また,日本の重要な産業で使用されるDRAMの3分の1を供給している。

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