米Micron Technology, Inc.（マイクロンテクノロジー）は5月18日，EUV（極端紫外線）技術を同社広島工場はに導入し，1γ（1ガンマ）ノードによる次世代DRAMの製造を行なうと発表した（ニュースリリース）。
これにより同社は，日本で初めて量産にEUV技術を導入する半導体企業となり，広島工場は1γノードの開発で重要な役割を果たすことになる。
経済産業省は，日本での最先端の半導体製造，サプライチェーンの強靭化，デジタル経済の強固な基盤構築を目的とした長期戦略を導入し，大規模な投資支援を行なっており，同社は日本政府による支援を前提に，次の数年で1γプロセス技術に最大5,000億円を投資する。
同社はメモリセルの微細化，性能を向上させるプロセス技術の進化により，メモリ密度の向上，消費電力効率の改善，ビット単価の低減を可能にし，デジタル化，サステナビリティとGX（グリーントランスフォーメーション），自動化に商機を創出してきた。
1γの導入は，現在，業界最先端のDRAMノードとなる1β（1ベータ）の開発に続くもの。広島工場で同社初となる1βによる量産を開始しており，広島で製造された1βベースの「LPDDR5X」メモリの出荷を開始している。
同社の1γノードは，昨年11月にモバイル顧客向けにサンプル出荷を開始しており，2025年以降に台湾と日本でEUVを用いて1γを立ち上げる計画を引き続き進捗させるという。
同社は日本国内に4,000人以上のエンジニアと技術者を擁し，過去5年間に国内で1,500人以上の人材を新規雇用している。また，日本の重要な産業で使用されるDRAMの3分の1を供給している。
