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パワー半導体

パワー半導体の記事一覧

全90件中 61〜70件目を表示

  • 名大，Mgイオン注入法で高品質p型GaNを形成

    名古屋大学の研究グループは，GaNパワーデバイス製造工程で必須技術となる選択イオン注入による導電型制御に対して，Mgイオン注入による高品質p型GaNの形成を実現した（ニュースリリース（6頁））。 研究グループは，1989...

    2019.06.05

  • 名大，GaNチップの欠陥密度を1/30に低減

    名古屋大学の研究グループは，GaNパワーデバイスの大電力化に際して障害となっていたキラー欠陥密度を従来の30分の1に低減し，大電力（100A）チップの歩留まりを大幅に向上した（ニュースリリース（4P目））。 GaNパワー...

    2019.06.05

  • 名大，イオン注入によるp型GaN結晶の作製に成功

    名古屋大学の研究グループは，イオン注入後，超高圧化状態で熱処理することにより，安定したp型結晶を作製することに成功した（ニュースリリース）。 イオン注入によるウエハー面内での伝導型制御は，単元素半導体であるSiでは一般に...

    2019.06.04

  • 佐賀大ら，高品質β型酸化ガリウム膜形成技術を開発

    佐賀大学は，ノベルクリスタルテクノロジー，タムラ製作所と共同で，β型酸化ガリウムエピタキシャル膜の高品質化技術を開発した（ニュースリリース）。 酸化ガリウムは，現在パワーデバイス用材料として開発が進められている炭化ケイ素...

    2019.04.23

  • 名工大，SiCの電気特性をレーザーで非破壊検査

    名古屋工業大学はSiC結晶を壊すことなく，内部の電気特性を測る手法を世界で初めて開発した（ニュースリリース）。 大電力の電圧変換に用いられるパワーデバイスとして，シリコンカーバイド（SiC）の採用が期待されている。大きな...

    2018.12.19

  • NICTら，量産に適した縦型酸化ガリウムトランジスタを開発

    情報通信研究機構（NICT）は，東京農工大学と共同で，イオン注入ドーピング技術を用いた縦型酸化ガリウム（Ga2O3）トランジスタの開発に成功した（ニュースリリース）。 現在，世界規模での革新的な省エネ技術開発が急務となっ...

    2018.12.13

  • 産総研ら，SiCを用いた次世代トランジスタ構造を開発

    産業技術総合研究所（産総研）は，富士電機，住友電気工業，トヨタ自動車，東芝，三菱電機との共同で，炭化ケイ素（SiC）半導体を用いた1.2kV耐電圧（耐圧）クラスの縦型スーパージャンクション（SJ）MOSFETを開発し，S...

    2018.12.05

  • 三菱電機ら，ノイズの影響を受けにくいSiC半導体の動作原理を考案

    三菱電機と東京大学は，パワーエレクトロニクス機器に搭載されるSiCパワー半導体素子において，外部からの電磁ノイズの影響を受けにくい動作原理を世界で初めて考案した（ニュースリリース）。 パワーエレクトロニクス機器の，さらな...

    2018.12.04

  • 住友電工ら，SiCトランジスタで最小オン抵抗を実現

    住友電気工業は，産業技術総合研究所（産総研）らとの共同研究で，炭化ケイ素（SiC）半導体を用いたV溝型スーパージャンクショントランジスタを開発し，SiCトランジスタの世界最小オン抵抗を達成した（ニュースリリース）。 同社...

    2018.12.04
  • 京大ら，酸化ガリウムでノーマリーオフ型MOSFETを開発

    京大ら，酸化ガリウムでノーマリーオフ型MOSFETを開発

    京都大学と京都大発ベンチャーのFLOSFIAは共同で，新規材料によるパワーデバイスとして，コランダム構造の酸化ガリウム（Ga2O3）を用いた絶縁効果型トランジスタ（MOSFET）を開発し，ノーマリーオフ動作を実証すること...

    2018.08.20

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