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パワー半導体

パワー半導体の記事一覧

全90件中 51〜60件目を表示

  • 関学ら，6インチSiC基板の欠陥ゼロ技術を実現

    関西学院大学と豊田通商は，次世代パワー半導体材料SiC（炭化ケイ素：シリコンカーバイド）基板内の欠陥を無害化する表面ナノ制御プロセス技術 「Dynamic AGE-ing」を開発し，6インチSiC基板での性能検証を完了し...

    2021.03.02

  • NIMSら，新たな高品質窒化GaN結晶育成法を開発

    物質・材料研究機構（NIMS）と東京工業大学は，次世代パワーデバイスとして期待される窒化ガリウム（GaN）の結晶成長において，欠陥を大幅に減らして高品質な結晶を得ることのできる新たな技術を開発した（ニュースリリース）。 ...

    2020.11.16

  • 金工大ら，無線電力伝送で世界最高の変換効率達成

    金沢工業大学は，マイクロ波（5.8GHz）による無線電力伝送に用いる受電レクテナにおいて，世界最高の電力変換効率となる92.8%を達成した（1W入力時）（ニュースリリース）。 マイクロ波を用いる無線電力伝送は遠方への電力...

    2020.09.23

  • 名工大ら，SiCの電気特性を光学的に評価

    名古屋工業大学，富士電機，電力中央研究所，昭和電工，産業技術総合研究所は，SiC中の電気特性の微細な分布を世界最高の空間分解能で測定する技術を確立し，装置を開発した（ニュースリリース）。 SiC結晶によるパワーデバイスは...

    2020.09.10

  • 京大，SiCの欠陥を大幅に減らし性能を倍増

    京都大学は，SiC（シリコンカーバイド）半導体で問題になっていた欠陥（半導体の不完全性）を環境に優しい手法で大幅に低減し，SiCトランジスタの性能を2倍に向上することに成功した（ニュースリリース）。 近年，Siよりも性質...

    2020.09.09

  • 京大ら，SiCパワー半導体の欠陥を1桁低減

    京都大学と東京工業大学は，省エネの切り札と言われるSiC半導体で20年以上にわたって大きな問題になっていた欠陥を1桁低減し，約10倍の高性能化に成功した（ニュースリリース）。 近年，低損失化を⽬指してSiよりも性質の優れ...

    2020.08.25

  • 東北大ら，高品位GaN単結晶基板の量産法開発

    東北大学，日本製鋼所，三菱ケミカルの研究グループは，反りがほとんど無い，大口径且つ高純度な窒化ガリウム（GaN）単結晶基板の量産を行なえる低圧酸性アモノサーマル法の開発に成功した（ニュースリリース）。 電力の変換効率を向...

    2020.06.02

  • 名工大，光照射でSiC結晶表面への電流を数値化

    名古屋工業大学の研究グループは，SiC結晶の表面への電流の流れを，様々な温度や表面の状態において，数値化することに成功した（ニュースリリース）。 電車や自動車の速度の制御や，送配電系統の電圧の変換には半導体素子であるパワ...

    2020.05.20

  • 神奈川大，p型ダイヤモンド半導体の活性化に成功

    神奈川大学の研究グループは，イオン注入法を用いて，ダイヤモンド基板中にドーピングした不純物ボロンの実用レベルでの高効率p型活性化に，世界で初めて成功した（ニュースリリース）。 ダイヤモンドはバンドギャップ5.5eVのワイ...

    2020.02.25

  • 2021年，300mmファブ製造装置投資額は600億ドル

    SEMIは，9月3日（米国時間），300mmファブの製造装置投資額が，2019年は減少するものの2020年に緩やかに回復し，2021年には600億ドルと過去最高記録を更新するとの予測を発表した（ニュースリリース）。 この...

    2019.09.04

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