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パワー半導体

パワー半導体の記事一覧

全90件中 1〜10件目を表示

  • オンセミ，革新的「縦型GaN」パワー半導体を発表

    オンセミは，縦型窒化ガリウム（vGaN）パワー半導体を発表した（ニュースリリース）。 現在，エネルギーが技術進歩を左右する最も重要な制約となる新しい時代に突入しており，電気自動車や再生可能エネルギーに加え，今や一部の都市...

    2025.11.07

  • 阪大ら，Ag-Si合金にパワー半導体接合材の適性発見

    大阪大学とダイセルは，液体急冷法により作製した銀（Ag）とシリコン（Si）の共晶合金（Ag-Si合金）には，非晶質SiとAg過飽和固溶体の準安定相が存在していることを発見した（ニュースリリース）。 パワー半導体の接合材料...

    2024.09.11

  • 阪大，青色半導体レーザーでAlN基板へ純銅皮膜形成

    大阪大学の研究グループは，青色半導体レーザーを用いたマルチビーム積層造形法による窒化アルミニウム基板への純銅皮膜形成技術の開発に成功した（ニュースリリース）。 パワー半導体デバイスは，電力の制御や交流―直流変換等を行なう...

    2024.09.10

  • 阪大ら，X線回折法でGaN結晶中の3次元歪み場を検出

    大阪大学と高輝度光科学研究センター（JASRI）は，放射光ナノビームX線回折法を用いて，窒化物半導体結晶中に存在する一本の転位によって生ずる3次元的な歪み場を検出することに成功した（ニュースリリース）。 近年，従来のシリ...

    2024.06.13

  • 阪大ら，高純度GaNは光りにくい理由が変わると解明

    大阪大学と住友化学は，全方位フォトルミネッセンス（ODPL）法を用いて，高純度な窒化ガリウム（GaN）結晶における“光りにくさ”の主要因が，従来のGaN結晶とは異なることを明らかにした（ニュースリリース）。 GaNデバイ...

    2024.06.10

  • 【解説】環境配慮を意識した技術・製品開発へ―GaN成長技術にも有毒ガス排除の動き

    名古屋大学の研究グループは，従来工業的に使われていたMOCVD法に代わる，プラズマを用いたGaN半導体の新しい結晶成長法を開発した（ニュースリリース）。 GaN半導体は従来，MOCVD法で成長されていたが，有毒なアンモニ...

    2024.06.04
  • CFD，大電流パワー半導体用光プローブ電流センサー開発

    CFD，大電流パワー半導体用光プローブ電流センサー開発

    シチズンファインデバイス（CFD）は，主に高周波，大電流のパワー半導体用の正確な電流測定が可能な，世界初となる光プローブを用いた電流波形測定用電流センサー「OpECS（オペックス）」を開発。4月下旬から販売を開始する（ニ...

    2024.04.19

  • 日清紡マイクロ，琵琶湖半導体構想に参画

    日清紡マイクロデバイスは，新規次世代半導体材料を使用するパワー半導体による省エネ・グリーン化を目指すPatentixが推進している企業間連携を目的としたコンソーシアム，琵琶湖半導体構想（案）に参画すると発表した（ニュース...

    2024.03.29
  • 名大ら，AlN系UWBG半導体で理想的なpn接合実現 

    名大ら，AlN系UWBG半導体で理想的なpn接合実現 

    名古屋大学と旭化成は，次世代半導体材料として期待される窒化アルミニウム（ALN）系材料において，理想的な特性を示すpn接合を作製することに世界で初めて成功した（ニュースリリース）。 現在広く使われている半導体材料であるシ...

    2023.12.15
  • 公大ら，高放熱性窒化ガリウムトランジスタを実現

    公大ら，高放熱性窒化ガリウムトランジスタを実現

    大阪公立大学，東北大学，中国北京大学，地球上で最も高い熱伝導率をもつダイヤモンドを基板に用いたGaNトランジスタを作製し，SiC基板上に作製した同一形状のトランジスタと比べて，放熱性を2倍以上高めることに成功した（ニュー...

    2023.12.04

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