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パワー半導体

パワー半導体の記事一覧

全90件中 81〜90件目を表示

  • 昭和電工，ハイグレードSiCエピウエハの増産を決定

    昭和電工は，パワー半導体の材料である炭化ケイ素（SiC）エピタキシャルウエハ（エピウエハ）の高品質グレード「ハイグレードエピ（HGE）」の生産能力増強を決定した（ニュースリリース）。2018年4月から稼働開始し，月産能力...

    2017.09.20

  • NCT，2インチ酸化ガリウムエピウエハの量産を開始

    ノベルクリスタルテクノロジー（NCT）は，タムラ製作所，東京農工大学と共同開発した次世代パワーデバイス用のϕ2インチ酸化ガリウムエピタキシャルウエハ（Ga2O3エピウエハ）を世界で初めて量産する（ニュースリリース）。 こ...

    2017.09.13

  • 産総研ら，最高性能のGaN圧電薄膜をスパッタで作製

    産業技術総合研究所（産総研）は，村田製作所と共同で，低コストで成膜温度の低いRFスパッタ法を用いた，単結晶と同等の圧電性能を示す窒化ガリウム（GaN）薄膜を作製できる方法を見いだした（ニュースリリース）。 さらに，スカン...

    2017.09.01

  • JST，高生産性精密研磨パッドの開発を成功と認定

    科学技術振興機構（JST）は，産学共同実用化開発事業（NexTEP）の開発課題「高生産性精密研磨パッドの開発」の開発結果を成功と認定した（ニュースリリース）。 この開発課題は，立命館大学の研究成果をもとに，平成25年10...

    2017.08.25

  • 富士通，W帯向けGaNパワーアンプで世界最高の出力密度

    富士通と富士通研究所は，W帯（75から110GHz）を用いた大容量の無線ネットワークに適用可能な，窒化ガリウム（GaN）高電子移動度トランジスタ（HEMT）を利用した送信用の高出力増幅器（パワーアンプ）を開発した（ニュー...

    2017.07.25

  • 東工大ら，パワーデバイス内部の電界強度を光で計測

    JST戦略的創造研究推進事業の一環として，東京工業大学，産業技術総合研究所らのグループは，ダイヤモンドパワーデバイス内部に原子レベルの構造である窒素－空孔（NV）センターを形成し，高電圧動作中のパワーデバイス内部の電界強...

    2017.01.27

  • 阪大，次世代パワー半導体の配線技術を開発

    大阪大学の研究グループは，独自開発の銀粒子焼結により，次世代パワーエレクトロニクスの高性能3D配線を低コストに実現する技術を開発しまた（ニュースリリース）。 銀粒子焼結技術は同大が開発した技術だが，200℃程度の低温（他...

    2017.01.20

  • 近大，SiCの高効率精密研磨法を開発

    近畿大学の研究グループは，次世代の半導体材料であるSiC（炭化ケイ素）の新たな精密研磨技術の開発に成功した（ニュースリリース）。 SiCはSi（シリコン）に代わる次世代の半導体材料で，Siよりも電力損失が少なく，発熱量が...

    2016.12.20

  • 東工大ら，微細化でシリコンIGBTを高効率化

    東京工業大学と東京大学，九州工業大学，明治大学，産業技術総合研究所，東芝，三菱電機らは，シリコンによる電力制御用の絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ（IGBT）をスケーリング（微細化）することで，コレクタ-エミッタ間飽和...

    2016.12.07

  • 金沢大ら，反転層型ダイヤMOSFETの動作実証に成功

    金沢大学は産業技術総合研究所，デンソーとの共同研究により，世界で初めてダイヤモンド半導体を用いた反転層チャネルMOSFETを作製し，その動作実証に成功した（ニュースリリース）。 ダイヤモンドは，パワーデバイス材料の中で最...

    2016.08.27

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