昭和電工は，パワー半導体の材料である炭化ケイ素（SiC）エピタキシャルウエハ（エピウエハ）の高品質グレード「ハイグレードエピ（HGE）」の生産能力増強を決定した（ニュースリリース）。2018年4月から稼働開始し，月産能力は現在の3000枚から5000枚に拡大する。
SiCパワー半導体は，データセンターのサーバー用電源，新エネルギーの分散型電源に加え，近年は鉄道車両のインバータモジュールや電気自動車用急速充電スタンドでも採用が進み，2020年までのSiCパワーデバイス市場は年率27%と大きな伸びが見込まれている。
高電圧・大電流に耐えうるパワーモジュールには主にSBDとMOSFETが搭載されているが，現状はSiC-SBDの量産化が先行し，SiC-MOSFETの実用化には欠陥の低減が課題となっていた。同社が開発したHGEは，代表的な結晶欠陥である基底面転位を0.1個/㎠以下に抑えた。
2015年10月の販売開始以降，SiC-SBD用途に加え，SiC-MOSFETの実用化に向けた採用も進んでいる。HGEの生産体制は現在フル稼働が続いており，来年以降SiC－MOSFET市場の本格的な立ち上がりが見込まれることから，今回の能力増強を決定した。
SiCパワー半導体は車載での早期実用化も検討されており，SiCエピウェハーの市場規模は2020年に200億円規模に拡大すると予想されているという。
