エピフォトニクスと同100%子会社 EpiPhotonics USA,Inc.は、独自の固相エピタキシャル成長法による単結晶PLZT薄膜ウエハーの販売を開始した（ニュースリリース）。
このPLZT薄膜は、現在光変調器等の光デバイスで用いられているLN材料等に対して約10倍の高い電気光学効果を有している。また従来のゾルゲル法などで形成した多結晶PLZT薄膜では散乱による光損失が多いことが課題とされていたが、同社の単結晶PLZT薄膜は表面の平滑性が高く高品質な結晶構造を持つことから光損失を大幅に低減でき、高い光利用効率が得られることも特徴だという。
これらの特徴を活かし、同社ではPLZT薄膜を光導波路として用いることでナノ秒での切り替えが可能な超高速光スイッチを開発した。この光スイッチをAIデータセンターや光量子コンピュータに応用することで、演算能力の向上やデータセンターの低消費電力化が可能になるとしている。
また昨年には基板材料やプロセスを最適化することで、ボーレート100Gを超える超高速光変調器チップを開発したこの変調器チップはBeyond 5Gに向けた光ネットワークの革新や、シリコンフォトニクスデバイスとの光集積化（光電融合）できるという。
■PLZT単結晶薄膜ウエハーの概要
| 基板材料 | サファイア |
| 基板サイズ | 2インチ、4インチ（厚みは約500μm） |
| PLZT組成 | 9/65/35 |
| PLZT膜厚 | 100～2,000nm |
| PLZT屈折率 | 2.438（波長 1550nm） 2.446（波長 1310nm） |
| PLZT電気光学効果 | ＞100～150pm/V |
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