キヤノン、世界初 ナノインプリントリソグラフィ技術を応用したウエハー平坦化技術

キヤノンは、ナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術を応用し、ウエハーを平坦化する「Inkjet-based Adaptive Planarization」（IAP）技術を開発し、世界で初めて実用化した（ニュースリリース）。

半導体製造では、成膜や配線などの工程を重ねる中で生じるウエハー表面の凹凸を均一に整える、平坦化工程が不可欠。特に、微細化や3D化が進む先端半導体では、ウエハー表面のわずかな凹凸が、CD誤差やパターンエッジの位置ずれにつながり、歩留まりや生産性に大きな影響を与えることから、これまで以上に高精度な平坦化技術が求められている。

現在主流の平坦化手法は、薄膜を形成し表面をなだらかにするスピンコート技術や、研磨を繰り返すCMP（Chemical Mechanical Polishing）技術だが、工程の複雑化やコスト増加が課題となっている。

同社は、インクジェット方式でレジスト（樹脂）を塗布したウエハーに、回路パターンを刻み込んだマスク（型）をハンコのように押し当てて回路を転写するNIL技術を開発し、半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を2023年10月に発売した。

今回開発したIAP技術は、このNIL技術を平坦化用途に応用したもの。ウエハー表面の凹凸分布に応じて、インクジェット方式で平坦化材料（樹脂）を最適に配置し、その上から平坦ガラス板を押し当てるという。

これにより、凹凸の粗密や回路パターンの違いに左右されることなく、直径300mmのウエハー全面を一括の押印工程で高精度に平坦化することが可能。ウエハー表面の凹凸を5nm以下に抑えることができ、後続の工程に不可欠な、より均一な層構造を実現するとしている。