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パワー半導体

パワー半導体の記事一覧

全90件中 41〜50件目を表示

  • 京大，SiCトランジスタ性能を6~80倍超向上

    京都大学の研究グループは，SiC半導体で問題になっていた欠陥を大幅に低減し，実用的な構造でSiCトランジスタの性能を6倍以上向上した（ニュースリリース）。 半導体パワーデバイスに主に使われているSiは理論限界に達しつつあ...

    2021.10.27

  • 名大，AI応用溶液成長法で6インチSiC基板作製

    名古屋大学の研究グループは，直径6インチのSiC単結晶基板を，高品質な結晶成長が可能である「溶液成長法」を用いて作製することに，世界で初めて成功した（ニュースリリース）。 現在のパワー半導体の主流はSiで作製されているが...

    2021.10.27

  • 東大，グラファイトの3次元的な熱流制御に成功

    東京大学の研究グループは，パワー半導体の高い放熱性能の実現に向けて，異なる配向のグラファイト材を重ねて接合したヒートスプレッダを開発し，グラファイト本来の異方的な熱伝導を等方的に変換することに成功した（ニュースリリースｔ...

    2021.10.25

  • JST，ロータス金属による沸騰冷却技術を成功認定

    科学技術振興機構（JST）は，山陽小野田市立山口東京理科大学の研究成果をもとに，ロータス・サーマル・ソリューションが開発をしていた課題「自発的冷却促進機構を有する高性能車載用冷却器」について，目指していた成果が得られたと...

    2021.09.21

  • 阪大ら，THzでGaNウエハーを非破壊・非接触評価

    大阪大学と日邦プレシジョンは，キャリア濃度が1020cm-3に達する窒化ガリウム（GaN）ウエハーのキャリア濃度および移動度を，非接触・非破壊の手法で評価することに成功した（ニュースリリース）。 GaNは技術的に重要な半...

    2021.09.16

  • 産総研ら，大口径SiCウエハーの高速研磨に成功

    産業技術総合研究所（産総研），ミズホ，不二越機械工業は，SiCウエハーの平坦化を高速で達成するラッピング技術を開発した（ニュースリリース）。 SiCウエハーは加工の難しい高硬脆材料で，これまでウエハーの平坦化は，研削加工...

    2021.09.01

  • 2030年パワー半導体市場，20年比144.3%の4兆円超

    富士経済は，世代パワー半導体やシリコンパワー半導体，また，パワー半導体の構成部材や製造装置の世界市場を調査し，その結果を「SiC など次世代パワー半導体，シリコンパワー半導体の世界市場を調査」にまとめた（ニュースリリース...

    2021.06.21

  • 佐賀大，パワー半導体の欠陥を顕微鏡で同定

    佐賀大学は，超高感度エミッション顕微鏡により，次世代のパワー半導体ベータ型酸化ガリウム半導体デバイスの動作に致命的な結晶欠陥を発見することに成功した（ニュースリリース）。 酸化ガリウムやダイヤモンドは，既存の材料よりもさ...

    2021.06.02

  • 産総研，SiCモノリシックパワーICを開発

    産業技術総合研究所（産総研）は，炭化ケイ素（SiC）半導体を用い，耐電圧1.2kVクラスの縦型MOSFETと，CMOSで構成された駆動回路を同一チップに集積したモノリシックパワーICを世界で初めて実現し，そのスイッチング...

    2021.05.31

  • 阪大，GaN半導体の貫通転位を非破壊で識別

    大阪大学の研究グループは，多光子励起フォトルミネッセンス法を用いて窒化ガリウム（GaN）半導体の貫通転位を非破壊で観察し識別する技術を開発した（ニュースリリース）。 消費電力の大幅な効率化を可能とするGaN半導体を用いた...

    2021.04.30

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