大阪大学の研究グループは，独自開発の銀粒子焼結により，次世代パワーエレクトロニクスの高性能3D配線を低コストに実現する技術を開発しまた（ニュースリリース）。

銀粒子焼結技術は同大が開発した技術だが，200℃程度の低温（他の金属粒子は融点の9割程度で焼結する，銀の融点は 962℃）で銀粒子焼結が形成されるメカニズムはこれまで不明だった。

今回，銀粒子が低温で焼結になるメカニズムが『ナノ噴火現象』であることを解明し，200℃程度で大気中の酸素と反応しながらAg-O液体噴火することで金属焼結が進むことを示した。これは，銀のみで生じる現象で，金や銅などの他の金属では不可能。銀は，金属の中で最も電気伝導と熱伝導が良く，ダイアタッチや配線材料として適している。

今回，研究グループは，基板に実装されたSiCダイの表面に，凹凸に応じた3D配線を安価な印刷により形成し，250℃の低温で大気中無加圧で焼成することで5×10^-6Ω･cmの低抵抗を実現した。

これにより，従来のワイヤボンドのようにSiCダイに負荷を掛けることなく低抵抗配線が形成でき，さらに低ノイズ化が安価に実現し，次世代ワイドバンドギャップ・パワー半導体の実用化に拍車が掛かるとしている。