京都大学と京都大発ベンチャーのFLOSFIAは共同で，新規材料によるパワーデバイスとして，コランダム構造の酸化ガリウム（Ga2O3）を用いた絶縁効果型トランジスタ（MOSFET）を開発し，ノーマリーオフ動作を実証することに世界で初めて成功した（ニュースリリース）。
省エネ社会の実現に向けて，パワーデバイス（電力変換に用いる半導体デバイス）の低損失化が期待されている。中でも，酸化ガリウム（Ga2O3）その最有力候補とされてきた。Ga2O3は結晶構造の異なる5つの結晶多形が知られ，そのうちでコランダム構造（α構造）が最も物性値がよい。
研究グループは，コランダム構造のGa2O3を用いた絶縁効果型トランジスタ（MOSFET）の開発に成功した。さらに，従来は実現不可能とされてきたGa2O3デバイスにおけるノーマリーオフ動作（ゲート電圧が0Vのときに電流が流れず，電圧を上げると電流が流れること）を実証することに成功した。
この研究成果により，電力変換器の小型化は数十分の一に及ぶことがあり，また，コスト低減効果は電力変換器全体の50%に及ぶことが期待されるという。安全・安心が求められる幅広い電源領域での適用が期待され，電気自動車や小型ACアダプタの普及を後押しすることが期待できるとしている。
今回の研究成果は，FLOSFIAのコランダム構造Ga2O3パワーデバイス「GaOTM」シリーズとして量産予定で，さまざまな電力変換器への搭載を目指す。
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