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半導体

半導体の記事一覧

全311件中 281〜290件目を表示

  • 古河電工，レーザー+プラズマダイシング向けテープを開発

    古河電気工業は，「レーザーグルービング（溝加工）＋プラズマダイシング工法」向けの新たな半導体用テープ「プラズママスク付きバックグラインド（BG）テープ」及び「エキスパンド分割用ダイシング・ダイアタッチフィルム（D-DAF...

    2017.03.01
  • DNP，ナノインプリントで半導体テンプレの量産開始

    DNP，ナノインプリントで半導体テンプレの量産開始

    大日本印刷（DNP）は，次世代の3D（3次元）構造のNAND型フラッシュメモリーの需要増加と低コスト化に対応するため，ナノインプリント用テンプレートの複製装置を3月に導入し，半導体メーカーへ回路線幅10nm台のテンプレー...

    2017.03.01

  • ギガフォトン，新型ArFエキシマレーザーを発売

    ギガフォトンは，新製品として最先端の液浸露光（リソグラフィ）装置向けArFエキシマレーザー「GT65A」を発表した（ニュースリリース）。2017年内の出荷を目指す。 この製品は，同社のArFプラットフォームの特徴である，...

    2017.02.22

  • パナと東京精密，ウエハ加工装置で協業

    パナソニック ファクトリーソリューションズと東京精密は，メタル配線のあるセンサーやメモリーなどの半導体チップをウエハーからダメージレスで切り出す技術として，「レーザーグルービング（溝加工）＋プラズマダイシング工法」の普及...

    2017.02.20

  • SEMI，2016年シリコンウエハ販売額は前年比1%増加

    SEMIは2月6日（米国時間），SEMI Silicon Manufacturers Group（SMG）が2016年末に実施したシリコンウエハ業界の分析結果をもとに，2016年の世界シリコンウエハ出荷面積が前年比3%増...

    2017.02.07

  • 日立ハイテクとピコサン社，原子層堆積装置を共同開発

    日立ハイテクノロジーズとフィンランド Picosun Oy（ピコサン社）は1月30日，プラズマを利用した原子層堆積（Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition，PE-ALD）装置の共同...

    2017.02.01

  • NTT-ATら，KTNによるウエハ厚み計測用波長掃引光源を開発

    浜松ホトニクスとエヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ（NTT-AT），および日本電信電話（NTT）は，タンタル酸ニオブ酸カリウム（KTN）光スキャナーを応用した，発振波長を時間とともに周期的に変化させる高安定な波長掃引...

    2017.01.25

  • 阪大，次世代パワー半導体の配線技術を開発

    大阪大学の研究グループは，独自開発の銀粒子焼結により，次世代パワーエレクトロニクスの高性能3D配線を低コストに実現する技術を開発しまた（ニュースリリース）。 銀粒子焼結技術は同大が開発した技術だが，200℃程度の低温（他...

    2017.01.20

  • 2020年半導体ウエハ市場，2015年比112.2%の9,919億円

    富士キメラ総研は，IoTや自動運転などを実現する主要または先端，注目の半導体デバイスの市場を調査・分析し，その結果を報告書「2017 先端／注目半導体関連市場の現状と将来展望」にまとめた（ニュースリリース）。 この報告書...

    2017.01.18

  • 旭硝子，半導体サポート用のガラス基板を開発

    旭硝子は，半導体パッケージ用及び，製造工程でのサポート用のガラス基板を開発した（ニュースリリース）。 次世代の半導体やMEMSデバイスのパッケージとして，Wafer Level Package技術が目覚ましい進展を遂げて...

    2017.01.18

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