日立ハイテクノロジーズとフィンランド Picosun Oy（ピコサン社）は1月30日，プラズマを利用した原子層堆積（Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition，PE-ALD）装置の共同開発について発表した（ニュースリリース）。
この装置に搭載予定の共同開発によるマイクロ波ECR（Electron Cyclotron Resonance）プラズマを用いたALD技術は，半導体デバイス製造時の成膜工程にて，微細化や三次元構造への対応を実現し，革新をもたらすものだとしている。
半導体デバイスの技術革新は急激なスピードで進み，微細化や三次元構造化など，さまざまな先端技術が日々進化を遂げている。それに伴い，半導体製造プロセスの一環である成膜工程の技術も進化し，近年はアスペクト比が高い構造体などへの成膜が得意なALDの活用が進んでいる。しかし従来のALDでは，膜質劣化の懸念から成膜工程の低温化が制限されていた。
両社が共同開発中のPE-ALD装置は，日立ハイテクのマイクロ波ECRプラズマ技術とピコサン社のALD技術という，双方が長年培ってきた技術を組み合わせることで，プラズマによる成膜反応を促進させ，既存のPE-ALD装置よりも低温にて高品質の膜を生成することができる。低温で高品質成膜が可能となったことで，今後の多機能化・微細化・三次元構造化・薄膜化に対して有力なソリューションとなるとしている。
現在，複数の膜種について評価中であり，窒化膜や酸化膜などの膜については，300mmウエハを用いて優れた膜質を確認しているという。
