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研究開発

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  • 電通大，世界最高密度の量子ドットレーザーを開発

    電気通信大学の研究グループは，世界最高の量子ドット密度を実現し，低内部損失で高利得の量子ドットレーザーを開発した（ニュースリリース）。 半導体量子ドットは，持続的な高度情報化社会を支える革新的な光電子デバイスの構成要素と...

    2022.02.01

  • 理科大，有機半導体を準ホモエピタキシャル成長

    東京理科大学の研究グループは，ルブレン単結晶基板（RubSC）上にルブレン誘導体（ビス（トリフルオロメチル）ジメチルルブレン，fmRub）をエピタキシャル成長させた薄膜を作製し，fmRubがRubSC上で「準ホモエピタキ...

    2022.02.01

  • 東北大，量子構造に偶数分母の分数量子状態を発見

    東北大学の研究グループは，典型的な半導体量子構造であるQPCにおいてセンターゲートを有する構造を用いることで，通常の高移動度（106cm2/Vs程度）GaAs/AlGaAsヘテロ構造上での特別な偶数分母状態（3/2状態）...

    2022.02.01

  • JASRIら，磁区パターンの位相回復アルゴを開発

    高輝度光科学研究センター（JASRI）と東京大学は，磁区構造に含まれるミクロな磁石の多くは隣り合った磁石と同じ強さで同じ方向を向いている，という性質をスパースモデリングによって取り入れた位相回復アルゴリズムを開発し，この...

    2022.02.01

  • 愛媛大ら，翼型ナノグラフェンを合成し性質を解明

    愛媛大学と中国南京大学は，翼型含窒素ナノグラフェンの合成に成功し，その特徴的な構造の解析，ならびに酸化還元や芳香族性に関する物性解明を行なった（ニュースリリース）。 近年，多環式芳香族化合物（PAH）を「分子構造が明確で...

    2022.02.01

  • 東工大，高性能で低環境負荷のp型半導体を実現

    東京工業大学の研究グループは，溶液の塗布法を用いた高性能pチャンネル薄膜トランジスタ（TFT）の開発に成功した（ニュースリリース）。 n型半導体の技術発展においては，2004年のアモルファス酸化物InGaZnO（IGZO...

    2022.02.01

  • 東工大ら，磁性絶縁体内のマヨラナ粒子の性質解明

    東京工業大学，東京大学，大阪大学，京都大学，韓国科学技術院は，キタエフ模型を実現する候補物質であるα-RuCl3（塩化ルテニウム）において，磁場方向に強く依存するマヨラナ粒子の振る舞いを観測した（ニュースリリース）。 キ...

    2022.02.01

  • 横国大，超ソフト材料への金属配線技術を確立

    横浜国立大学の研究グループは，ゲルや生体組織といった超柔軟基板上への金属配線技術を確立した（ニュースリリース）。 現在，シリコーンゴムを柔軟材料として用いたスマートデバイスが多く研究されている。 特に近年ではゲルや生体組...

    2022.02.01

  • 名大ら，導電性の高い酸化シリコン保護膜を実現

    名古屋大学と東京大学は，シリコンナノ結晶により導電性を向上させた酸化シリコン保護膜を新たに開発した（ニュースリリース）。 シリコン酸化膜を，結晶シリコンの表面を保護するパッシベーション膜として用いた太陽電池は，高い変換効...

    2022.01.31

  • 府大ら，遷移金属酸化物の近藤効果を初めて実証

    大阪府立大学，早稲田大学，京都大学，広島大学，独マックスプランク研究所，墺ウィーン工科大学は，銅（Cu）とルテニウム（Ru）からなる酸化物（CaCu3Ru4O12）のX線光電子分光を測定し，CaCu3Ru4O12では，遷...

    2022.01.31

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