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GaNの記事一覧

全50件中 1〜10件目を表示

  • 阪大ら，X線回折法でGaN結晶中の3次元歪み場を検出

    大阪大学と高輝度光科学研究センター（JASRI）は，放射光ナノビームX線回折法を用いて，窒化物半導体結晶中に存在する一本の転位によって生ずる3次元的な歪み場を検出することに成功した（ニュースリリース）。 近年，従来のシリ...

    2024.06.13

  • 阪大ら，高純度GaNは光りにくい理由が変わると解明

    大阪大学と住友化学は，全方位フォトルミネッセンス（ODPL）法を用いて，高純度な窒化ガリウム（GaN）結晶における“光りにくさ”の主要因が，従来のGaN結晶とは異なることを明らかにした（ニュースリリース）。 GaNデバイ...

    2024.06.10

  • 【解説】環境配慮を意識した技術・製品開発へ―GaN成長技術にも有毒ガス排除の動き

    名古屋大学の研究グループは，従来工業的に使われていたMOCVD法に代わる，プラズマを用いたGaN半導体の新しい結晶成長法を開発した（ニュースリリース）。 GaN半導体は従来，MOCVD法で成長されていたが，有毒なアンモニ...

    2024.06.04

  • 名城大ら，GaN面発光レーザーの変換効率20%超に

    名城大学と産業技術総合研究所は，窒化ガリウム（GaN）面発光レーザー（波長420nm）にて，20%を超える電力変換効率を初めて実証した（ニュースリリース）。 窒化ガリウム面発光レーザーは，青色を中心とする可視域をカバーし...

    2024.04.03

  • 東大，誘電体の熱励起表面波の分光測定に成功

    東京大学の研究グループは，熱揺らぎによって物質表面に発現する熱励起エバネッセント波を，ナノスケール分解能で分光測定する技術を開発した（ニュースリリース）。 微細パターン内で生じる熱励起雑音の同定技術として，研究グループで...

    2023.10.31

  • OKIら，QST基板上でGaNの剥離／接合技術を開発

    OKIは，信越化学工業と共同で，信越化学が独自改良したQST基板からOKIのCFB技術を用いてGaN（窒化ガリウム）機能層のみを剥離し，異種材料基板へ接合する技術の開発に成功した（ニュースリリース）。 GaNデバイスは，...

    2023.09.05

  • 三菱，4G~Beyond 5G/6Gまで動作するGaN増幅器

    三菱電機は，基地局の無線部共用化と，低消費電力化による省エネに向けて，世界で初めて，1台の増幅器で周波数帯域3,400MHzをカバーするGaN増幅器を開発し，周波数が異なる各通信世代（4G，5G，Beyond 5G/6G...

    2023.06.13

  • 阪大，GaNへ最高効率・低消費電力でスピンを注入

    大阪大学の研究グループは，日本発の高性能半導体材料として注目されている窒化ガリウム（GaN）上に高性能スピントロニクス材料（ホイスラー合金磁石）を作製することに成功し，高性能磁石/GaNからなる低接合抵抗電極構造を用いた...

    2023.05.10

  • 立命大ら，GaNをSAM基板上に分子線エピタキシー成長

    立命館大学と福田結晶技術研究所は，分子線エピタキシー法を用いてScAlMgO4（SAM）基板上GaNテンプレートの開発に成功した（ニュースリリース）。 高輝度・省エネ・長寿命照明用LEDなどのデバイスを製造するために必要...

    2023.02.13

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