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GaN

GaNの記事一覧

全52件中 11〜20件目を表示

  • 立命大ら，GaNをSAM基板上に分子線エピタキシー成長

    立命館大学と福田結晶技術研究所は，分子線エピタキシー法を用いてScAlMgO4（SAM）基板上GaNテンプレートの開発に成功した（ニュースリリース）。 高輝度・省エネ・長寿命照明用LEDなどのデバイスを製造するために必要...

    2023.02.13

  • 東大，AlGaNのスパッタリングでの合成に成功

    東京大学の研究グループは，安価なスパッタリング法で品質の高い窒化物半導体結晶を合成する手法を開発し，さらに，縮退GaNと呼ばれる新しい電極結晶を合成し，これをAlGaNと接触させることによって抵抗の低い高性能AlGaNト...

    2022.07.06

  • 名大ら，GaN基板のレーザースライス技術を開発

    名古屋大学と浜松ホトニクスは，レーザーを用いてGaN基板をロスなく短時間でスライスする技術を発明した（ニュースリリース）。 脱炭素社会，持続可能な社会のためには電力の効率的な利用は欠かせない。電力の効率的な利用のためのパ...

    2022.05.31

  • 東北大ら，高品質な窒化ガリウム結晶を作製

    東北大学，日本製鋼所，三菱ケミカルは，低圧酸性アモノサーマル法において，高品質なシード（種結晶）を用いることにより結晶性がよく，高純度な窒化ガリウム結晶の成長を確認した（ニュースリリース）。 電力制御を担う高周波パワート...

    2022.05.26

  • NEDOプロ，4インチGaN基板の成長を確認

    新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のプログラムにおいて，日本製鋼所と三菱ケミカルは，世界最大級のGaN基板製造実証設備による高品質なGaN基板の低コスト製造技術を用いた4インチGaN基板の量産に向けた結晶成長...

    2021.11.25

  • 阪大ら，THzでGaNウエハーを非破壊・非接触評価

    大阪大学と日邦プレシジョンは，キャリア濃度が1020cm-3に達する窒化ガリウム（GaN）ウエハーのキャリア濃度および移動度を，非接触・非破壊の手法で評価することに成功した（ニュースリリース）。 GaNは技術的に重要な半...

    2021.09.16

  • 市大ら，窒化ガリウムとダイヤの直接接合に成功

    大阪市立大学，東北大学，佐賀大学，アダマンド並木精密宝石は，窒化ガリウムとダイヤモンドの直接接合に成功した（ニュースリリース）。 トランジスタの動作時の発熱・温度上昇による性能の劣化と信頼性の低下は，種類や材料によらず大...

    2021.09.10

  • 浜ホト，GaN結晶の品質定量評価装置を発売

    浜松ホトニクスは，全方位フォトルミネッセンス（Omnidirectional Photoluminescence：ODPL）測定法を利用した結晶品質評価装置「ODPL測定装置 C15993-01」を開発し，8月2日より発...

    2021.07.07

  • 阪大，GaN半導体の貫通転位を非破壊で識別

    大阪大学の研究グループは，多光子励起フォトルミネッセンス法を用いて窒化ガリウム（GaN）半導体の貫通転位を非破壊で観察し識別する技術を開発した（ニュースリリース）。 消費電力の大幅な効率化を可能とするGaN半導体を用いた...

    2021.04.30

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