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GaN

GaNの記事一覧

全51件中 41〜50件目を表示

  • 富士通，窒化ガリウムトランジスタの高出力化に成功

    富士通と富士通研究所は，気象レーダーなどのパワーアンプ（増幅器）に適用可能な窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（GaN HEMT）において，大電流化と高電圧化を同時に達成する結晶構造を開発し，マイクロ波帯の送信用トラン...

    2018.09.07

  • JFCCら，大面積のGaN結晶から各種欠陥を検出

    ファインセラミックスセンター（JFCC）と高エネルギー加速器研究機構（KEK）は共同で，GaN結晶に含まれる様々な欠陥を短い測定時間且つ非破壊で検出するX線トポグラフィ観察法を確立し，欠陥種類と大面積にわたる各種欠陥の分...

    2018.07.10

  • 名大ら，GaNナノワイヤーのドーパント分布を可視化

    名古屋大学とファインセラミックスセンター（JFCC）は，高感度電子線ホログラフィーを用いて，GaNナノワイヤー内部のドーパント分布を観察することに成功した（ニュースリリース）。 窒化ガリウム（GaN）ナノワイヤーは，直径...

    2018.07.06

  • 名大，高信頼性GaN結晶製造要素技術を開発

    名古屋大学は，GaN基板上のGaNのpnダイオードにおいて，逆方向高電圧印加時のリークの起源となるキラー欠陥の特定に成功した。また，エピタキシャル成長時，大気圧で行なうことにより，キラー欠陥の増殖を抑制できることも明らか...

    2018.06.13

  • 産総研ら，ラマン散乱でGaN欠陥を検出

    産業技術総合研究所（産総研）と名古屋大学は共同で，ラマンマッピング像から窒化ガリウム（GaN）半導体結晶の欠陥を検出する技術を開発した（ニュースリリース）。 次世代パワーデバイスや高輝度発光デバイスとして期待され，研究開...

    2018.05.23

  • 名大，GaNパワーデバイス向け要素技術を加発

    名古屋大学の研究グループは，縦型GaNパワーデバイスの低抵抗なゲート構造を形成するための低ダメージ溝（トレンチ）加工技術を開発するとともに，GaNパワーデバイスに使用する高性能ゲート絶縁膜を開発した（ニュースリリース）。...

    2018.05.21

  • NIMS，GaNウエハの「ゆがみ」可視化の新手法を開発

    物質・材料研究機構 （NIMS) は，窒化ガリウム （GaN）半導体の直径2インチウエハ結晶面の「ゆがみ」を，ウエハ全面を一度に，しかも数10マイクロメートルの空間分解能で可視化する新たな評価手法を開発した（ニュースリリ...

    2018.05.17

  • NIMS，GaN界面に原子レベルで平坦な結晶層を発見

    物質・材料研究機構（NIMS）を中心とする研究グループは，次世代パワーデバイスとして期待される窒化ガリウム（GaN）を用いたトランジスタにおいて，GaN結晶と絶縁膜との界面に，これまでまったく知られていなかった，原子レベ...

    2017.10.24

  • 2023年WBG半導体単結晶市場，150億円規模に

    矢野経済研究所では，国内のワイドバンドギャップ（WBG）半導体単結晶市場の調査を実施した（ニュースリリース）。 それによると，Siより大きなバンドギャップを持ち，パワーデバイスとして期待されるWBG半導体単結晶は，市場化...

    2017.10.19

  • 産総研ら，最高性能のGaN圧電薄膜をスパッタで作製

    産業技術総合研究所（産総研）は，村田製作所と共同で，低コストで成膜温度の低いRFスパッタ法を用いた，単結晶と同等の圧電性能を示す窒化ガリウム（GaN）薄膜を作製できる方法を見いだした（ニュースリリース）。 さらに，スカン...

    2017.09.01

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