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GaNの記事一覧

全52件中 51〜52件目を表示

  • 産総研ら，最高性能のGaN圧電薄膜をスパッタで作製

    産業技術総合研究所（産総研）は，村田製作所と共同で，低コストで成膜温度の低いRFスパッタ法を用いた，単結晶と同等の圧電性能を示す窒化ガリウム（GaN）薄膜を作製できる方法を見いだした（ニュースリリース）。 さらに，スカン...

    2017.09.01

  • 富士通，W帯向けGaNパワーアンプで世界最高の出力密度

    富士通と富士通研究所は，W帯（75から110GHz）を用いた大容量の無線ネットワークに適用可能な，窒化ガリウム（GaN）高電子移動度トランジスタ（HEMT）を利用した送信用の高出力増幅器（パワーアンプ）を開発した（ニュー...

    2017.07.25

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