GaN

GaNの記事一覧

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  • NIMS,GaNで高性能MEMS振動子を開発

    物質・材料研究機構(NIMS)は,窒化ガリウム(GaN)の熱によるひずみを制御することで,高温でも安定に動作するMEMS振動子を開発した(ニュースリリース)。 自動運転や先進運転支援システム,鉄道などの通信には高精度な同...

    2020.12.15
  • NIMSら,新たな高品質窒化GaN結晶育成法を開発

    物質・材料研究機構(NIMS)と東京工業大学は,次世代パワーデバイスとして期待される窒化ガリウム(GaN)の結晶成長において,欠陥を大幅に減らして高品質な結晶を得ることのできる新たな技術を開発した(ニュースリリース)。 ...

    2020.11.16
  • 名大,GaNに格子整合する新窒化物半導体を合成

    名古屋大学は,窒化ガリウム結晶(GaN)に格子整合する新たな窒化物半導体AlPNの合成に成功した(ニュースリリース)。 GaNを用いた高電子移動度トランジスタ(HEMT)は,高周波で動作し,効率よく電力を電波に変換できる...

    2020.11.16
  • 東北大ら,AlNとInNによる高効率光源実現に道

    東北大学と九州大学は,非極性面Al1-xInxN薄膜の特異なナノ構造を調べ,本来は互いに混ざり合わないAlNとInNは自己凝集することなく,窒化ガリウム(GaN)基板直上における初期のカチオン秩序配列を引き継いだ上で,原...

    2020.11.06
  • 東北大ら,GaN-HEMT動作下のX線分光に成功

    東北大学,住友電気工業,高輝度光科学研究センターは, GaN-HEMTの高周波動作の決定要因の一つである表面電子捕獲の時空間挙動の直接観測及びそのメカニズム解明に初めて成功した(ニュースリリース)。 GaNとその上に成長...

    2020.11.02
  • 東北大,GaNの発光量子効率と光吸収の関係解明

    東北大学は,全方位フォトルミネセンス(ODPL)計測法にて観測される発光スペクトル(ODPLスペクトル)に特有の双峰性形状が,結晶のもつ光吸収に起因していることを発見した(ニュースリリース)。 窒化ガリウム(GaN)は,...

    2020.10.30
  • 東北大ら,極低温でGaNの発光効率計測に成功

    東北大学と浜松ホトニクスは,全方位フォトルミネセンス(ODPL)法を用いて,極低温下における窒化ガリウム結晶の絶対発光効率計測に成功した(ニュースリリース)。 窒化ガリウム(GaN)に基づく高耐圧トランジスタや高出力LE...

    2020.09.28
  • 東北大ら,シンプルなGaN素子に量子ドット観測

    東北大学とロームの研究グループは,シンプルな窒化ガリウム電界効果トランジスタ構造において,量子ドットが形成されることを観測した(ニュースリリース)。 窒化ガリウムおよびその積層構造は,大きな直接バンドギャップ,高い電子密...

    2020.09.24
  • 東北大ら,高品位GaN単結晶基板の量産法開発

    東北大学,日本製鋼所,三菱ケミカルの研究グループは,反りがほとんど無い,大口径且つ高純度な窒化ガリウム(GaN)単結晶基板の量産を行なえる低圧酸性アモノサーマル法の開発に成功した(ニュースリリース)。 電力の変換効率を向...

    2020.06.02
  • 東北大ら,GaNから微量な炭素不純物を検出

    東北大学とサイオクスの研究グループは,全方位フォトルミネセンス(ODPL)法を用いて,窒化ガリウム結晶における微量な炭素不純物の検出に成功した(ニュースリリース)。 半導体デバイスは,用途に応じて様々な材料を用いて製造さ...

    2019.12.09

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