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GaN

GaNの記事一覧

全52件中 31〜40件目を表示

  • 富士通ら，GaN HEMTに放熱ダイヤモンド膜形成

    富士通と富士通研究所の研究グループは，気象レーダーなどのパワーアンプ（増幅器）に使用されている窒化ガリウム（GaN）高電子移動度トランジスタ（HEMT）（GaN HEMT）の表面に，世界で初めて放熱性の高いダイヤモンド膜...

    2019.12.09

  • 大陽日酸ら，GaN結晶の低コスト製造装置を開発

    科学技術振興機構（JST）は，産学共同実用化開発事業（NexTEP）の開発課題「THVPE法による高品質バルクGaN成長用装置」の開発結果を成功と認定した（ニュースリリース）。 この開発課題は，東京農工大学の研究グループ...

    2019.11.19

  • NEDOら，単結晶ダイヤ基板のGaN-HEMTを開発

    新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO），三菱電機，産業技術総合研究所は，高い熱伝導率を持つ単結晶ダイヤモンドを放熱基板に用いたマルチセル構造の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（GaN-HEMT）を世界で初めて...

    2019.09.03

  • 産総研ら，GaNマイクロLEDの発光効率を5倍に

    産業技術総合研究所（産総研）と東北大学は，微小なGaN（窒化ガリウム）LED（マイクロLED）の高効率化技術を開発した（ニュースリリース）。 マイクロLEDを高密度に配置したマイクロLEDディスプレーは，次世代のウエアラ...

    2019.07.04

  • 名大，Mgイオン注入法で高品質p型GaNを形成

    名古屋大学の研究グループは，GaNパワーデバイス製造工程で必須技術となる選択イオン注入による導電型制御に対して，Mgイオン注入による高品質p型GaNの形成を実現した（ニュースリリース（6頁））。 研究グループは，1989...

    2019.06.05

  • 名大，GaNチップの欠陥密度を1/30に低減

    名古屋大学の研究グループは，GaNパワーデバイスの大電力化に際して障害となっていたキラー欠陥密度を従来の30分の1に低減し，大電力（100A）チップの歩留まりを大幅に向上した（ニュースリリース（4P目））。 GaNパワー...

    2019.06.05

  • 名大，イオン注入によるp型GaN結晶の作製に成功

    名古屋大学の研究グループは，イオン注入後，超高圧化状態で熱処理することにより，安定したp型結晶を作製することに成功した（ニュースリリース）。 イオン注入によるウエハー面内での伝導型制御は，単元素半導体であるSiでは一般に...

    2019.06.04

  • 東北大ら，GaNウエハーの高速・高感度検査を確立

    東北大学は，浜松ホトニクスと協力し，分光技術に基づく新たな半導体ウエハーの検査技術を開発した（ニュースリリース）。 LEDや半導体レーザー，太陽電池などの半導体デバイスの普及には，大型ウエハーを用いた量産化が必要。高性能...

    2019.05.28

  • NIMS，GaN内部のMg分布や電気的状態を可視化

    物質・材料研究機構（NIMS）は，窒化ガリウム（GaN）に注入した微量なマグネシウム（Mg）の分布や電気的状態を，ナノスケールで可視化することに世界で初めて成功した（ニュースリリース）。 省エネ化の切り札となる「GaNパ...

    2019.05.23

  • 産総研ら，GaN/Si回路でマイクロ波を直流電力に変換

    産業技術総合研究所（産総研）と宇宙航空研究開発機構（JAXA）は，窒化ガリウム（GaN）ダイオードとシリコン（Si）整合回路を混成したHySIC（Hybrid Semiconductor Integrated Circu...

    2018.11.07

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