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メモリ

メモリの記事一覧

全58件中 51〜58件目を表示

  • 東工大ら，室温で強磁性・強誘電性が共存した物質を実現

    東京工業大学と名古屋工業大学の研究グループは，セラミックス結晶中に磁石の性質（強磁性）と電気を蓄える性質（強誘電性）が室温において共存することを確認した（ニュースリリース）。 これまでに菱面体晶ペロブスカイトの鉄酸ビスマ...

    2016.12.26
  • 東芝，磁化反転不揮発性磁気メモリに新書込み方式

    東芝，磁化反転不揮発性磁気メモリに新書込み方式

    内閣府 総合科学技術・イノベーション会議が主導する革新的研究開発推進プログラム（ImPACT）の研究開発プログラムの一環として東芝は，電圧書込み方式の不揮発性磁気メモリの新たなアーキテクチャ技術を開発した（ニュースリリー...

    2016.12.05

  • 産総研ら，不揮発性磁気メモリの電圧駆動書込方式を開発

    内閣府 総合科学技術・イノベーション会議が主導する革新的研究開発推進プログラム（ImPACT）の一環として，東芝と産業技術総合研究所の研究開発チームは，電圧駆動型の不揮発性磁気メモリ「電圧トルクMRAM」の書き込みエラー...

    2016.12.05

  • 産総研ら，高速/大容量光ディスク材料を開発

    産業技術総合研究所（産総研）はダイキン工業と共同で，大幅な多層化と高速な記録が可能な長期間保存用光ディスク向け記録材料を開発した（ニュースリリース）。 データの長期保管には低消費電力で，維持管理に手間のかからない大容量の...

    2016.12.01

  • 東工大，マイクロプロセッサの待機時電力を大幅に削減

    東京工業大学の研究グループは，マイクロプロセッサやシステムオンチップ（SoC）のコアにおける待機時電力を削減するために用いられているパワーゲーティングに不揮発記憶を導入することで，そのエネルギー削減効率を従来技術に比べて...

    2016.11.21

  • 東工大，分子配向制御で省電力高密度メモリーに道

    東京工業大学と大阪大学のグループは，フラーレンの一部を切り出したお椀形状をもつ分子「スマネン」を用い，単分子レベルで分子の配向を自在に制御することに成功した（ニュースリリース）。 高密度の分子メモリーを作製するために，研...

    2016.09.16

  • 東工大ら，酸化ハフニウム基強誘電体の特性を解明

    東京工業大学，東北大学，物質・材料研究機構らの研究グループは，スマホやパソコンのトランジスタに使われている酸化ハフニウムを基本組成とした，強誘電体の電源を切った時に貯められる電気の量や，使用可能な温度範囲といった基礎特性...

    2016.09.13

  • 理研，電場でスキルミオンの生成・消滅に成功

    理化学研究所（理研）の研究グループは，次世代メモリデバイスの情報担体の有力な候補である磁気スキルミオンを，電場によって不揮発的に生成・消滅できることを初めて実証した（ニュースリリース）。 スキルミオンは一つが数十nm程度...

    2016.09.02

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