産総研ら,不揮発性磁気メモリの電圧駆動書込方式を開発

内閣府 総合科学技術・イノベーション会議が主導する革新的研究開発推進プログラム(ImPACT)の一環として,東芝と産業技術総合研究所の研究開発チームは,電圧駆動型の不揮発性磁気メモリ「電圧トルクMRAM」の書き込みエラー率を低減する新しい書き込み方式を開発した(ニュースリリース)。

研究開発チームはこれまで,高速パルス電圧によって磁化反転を制御可能な磁気トンネル接合素子(MTJ素子)を開発し,電圧駆動型の新しい磁気メモリ「電圧トルクMRAM」の実現に取り組んできた。

電圧トルクMRAMでは,従来の電流駆動型磁気メモリ(STT-MRAM)と比較して飛躍的な低駆動電力化が期待されているが,書き込みエラー率の低減が実用化に向けた重要課題となっている。

今回,書き込み時に印加するパルスの前後に書き込みとは逆極性のパルス電圧を印加することにより,熱ゆらぎによる書き込み失敗の発生を抑制して書き込みエラー率を低減する手法,およびそれを実現する新しい書き込み用回路を開発した。

この成果により,プロセッサ用ラストレベルキャッシュの大容量化と,それによるプロセッサの高性能化・低消費電力化が期待されるとしている。

その他関連ニュース

  • 浜ホト,光半導体製造後工程の新工場が竣工 2025年03月28日
  • 阪大ら,半導体と金属界面の接触抵抗の評価法を一新 2025年03月27日
  • inspec,露光装置事業からの撤退を発表 2025年03月24日
  • 浜ホト,韓国に半導体故障解析装置の工場新設 2025年03月13日
  • 東大,フォトマスク1枚のAIプロセッサ作製法を開発 2025年02月26日
  • 阪大,半導体材料に期待の二酸化バナジウム超薄膜化 2025年02月20日
  • Coherent,世界初6インチInPウエハーを製造 2025年02月19日
  • ラムリサーチのドライレジスト,EUVに適格と評価 2025年01月16日