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メモリ

メモリの記事一覧

全58件中 41〜50件目を表示

  • 広島大，室温で強誘電性を示す分子を発見

    広島大学の研究グループは，室温で強誘電性（メモリー効果）を示す分子の開発に世界で初めて成功した（ニュースリリース）。 これは，これまでの強誘電体の理論を覆す新しい機構によって，本来強誘電性が出現しないとされていた単一分子...

    2018.08.20

  • 理研，スキルミオン弦の新しい振る舞いを明らかに

    理化学研究所（理研）の研究グループは，電流によって引き起こされる「スキルミオン弦」と呼ばれるひも状のトポロジカルスピン構造の，新しい振る舞いを明らかにした（ニュースリリース）。 スキルミオンは，電子のスピンが渦巻き状に整...

    2018.08.20

  • 東北大，グラフェンを用いた光書込みメモリを開発

    東北大学の研究グループは，原子オーダーの厚みを持つシート材料であるグラフェンナノリボン（GNR）を用いて，耐環境性に優れた新型メモリの開発に成功した（ニュースリリース）。 光が照射されたところの電子状態が一時的に変化し，...

    2018.08.08

  • 東工大，トポロジカル絶縁体で最高性能の純スピン注入源を開発

    東京工業大学は，次世代スピン軌道トルク磁気抵抗メモリの実現に向けた，トポロジカル絶縁体であるBiSbの（012）面方位を用いた世界最高性能の純スピン注入源を開発した（ニュースリリース）。 スピン軌道トルク磁気抵抗メモリは...

    2018.08.01

  • 東北大，最小直径3.8nmまでの磁気トンネル接合素子を開発

    東北大学は，超低消費電力高性能ワーキングメモリとしての実用化が期待されるSTT-MRAMの主要構成要素である磁気トンネル接合素子の新しい方式を提案し，世界最小となる一桁ナノメートルサイズでの動作実証に成功した（ニュースリ...

    2018.02.16

  • 東北大ら，次世代相変化メモリの新材料を開発

    東北大学の研究グループは，産業技術総合研究所および韓国Hanyang大学らと共同で，既存材料とは逆の電気特性を示す相変化材料（Cr2Ge2Te6）の開発に成功した（ニュースリリース）。 次世代不揮発性メモリとして，相変化...

    2018.01.15

  • 技科大，磁気アシストホログラムメモリの実用化へ前進

    豊橋技術科学大学の研究グループは，磁気アシスト記録によって，世界で初めて磁気ホログラムメモリの記録エネルギーの低エネルギー化とエラーゼロでの再生に成功した（ニュースリリース）。 インターネットや8K放送をはじめ，世の中に...

    2017.12.12

  • 中央大，3D NANDメモリのエラーとメモリ寿命を改善

    中央大学の研究グループは，大容量で低コストな3D NANDフラッシュメモリにおける垂直方向の電荷の移動がメモリセルの信頼性を劣化させることを明らかにした。そして電荷移動を抑制する手法を開発し，データ保持中のメモリのエラー...

    2017.12.07

  • 阪大ら，超省エネ磁気メモリを実現する原理を発見

    内閣府 総合科学技術・イノベーション会議が主導する革新的研究開発推進プログラム（ImPACT）の一環として，大阪大学，高輝度光科学研究センター，東北大学，産業技術総合研究所，物質・材料研究機構らは，電圧により電気的に原子...

    2017.06.26

  • 産総研，MRAMの3次元積層プロセスを開発

    産業技術総合研究所（産総研）は，内閣府 総合科学技術・イノベーション会議（CSTI）が主導する革新的研究開発推進プログラム（ImPACT）の一環として，次世代の不揮発性メモリーである磁気ランダムアクセスメモリ（MRAM）...

    2017.05.17

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