産業技術総合研究所（産総研）は，内閣府 総合科学技術・イノベーション会議（CSTI）が主導する革新的研究開発推進プログラム（ImPACT）の一環として，次世代の不揮発性メモリーである磁気ランダムアクセスメモリ（MRAM）の3次元積層プロセス技術を開発した（ニュースリリース）。
MRAMは垂直磁化TMR素子をベースとする記録ビットと，ビット選択に用いる半導体トランジスタ（CMOS），金属配線（通常，多結晶の銅配線）からなり，通常，垂直磁化TMR素子薄膜（TMR薄膜）は，CMOS形成後に金属配線上に直接形成される（逐次積層）。
MRAMの大容量化には，原子レベルの不均一性や凹凸によるTMR薄膜のバラツキ抑制や，材料の選択が重要だが，多結晶銅配線上へのTMR薄膜形成ではバラツキ抑制や材料の選択肢には限界がある。
今回，CMOS形成ウエハー（今回は銅電極形成ウエハーで代用）とTMR薄膜ウエハーを別体形成した後に圧着して接合する，3次元積層プロセス技術によるTMR素子の作製に世界で初めて成功した。
ウエハー上に銅電極層，タンタル接合層，多結晶TMR薄膜層の順に形成された3次元積層試料に微細加工を行ない，サイズが28nmから65nmのMRAMデバイスを作製し，動作を確認した。比較のために，3次元積層プロセスを行なわないTMR薄膜を用いたMRAMデバイスも作製して動作確認を行なった。
その結果，3次元積層プロセスを経た後のMRAMデバイスは，読出性能・書込性能は全く劣化せず，STT-MRAMで重要な性能指標となる「データ書き込み効率」は2に達し，世界トップクラスの性能を維持していた。
この技術開発によりウエハーの別体形成が可能になったことで，薄膜のバラツキが極めて小さく，高性能材料候補の選択肢が広い単結晶材料をMRAM製造に用いる目途が立った。これにより，MRAMの飛躍的な大容量化と高性能化につながるとしている。
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