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東大ら，歪みで異常ホール効果をスイッチング

東京大学，加ブリティッシュコロンビア大学，米コーネル大学，中央大学，米ジョンズホプキンス大学，英バーミンガム大学は，磁化をほとんど持たないにもかかわらず，室温で巨大な異常ホール効果を示す反強磁性体Mn3Snにおいて，一軸...
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2022.08.19
東北大ら，ファンデルワールス力で異種界面接合

東北大学，高エネルギー加速器研究機構（KEK），東北大学，神戸大学，東京工業大学，早稲田大学，パリ＝サクレー大学，仏国立研究センターは，六方晶系の二次元物質（グラフェン）と正方晶系の規則合金（L10-FePd）の結晶系の...
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2022.03.02
産総研，300mmウエハーに単結晶記憶素子を集積化

産業技術総合研究所（産総研）は，不揮発性メモリーMRAM用の単結晶記憶素子をシリコンLSIに集積化する製造プロセス技術を開発した（ニュースリリース）。不揮発性メモリーMRAMは，酸化マグネシウム（MgO）トンネル障壁を...
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2021.06.02
阪大ら，超省エネ磁気メモリを実現する原理を発見

内閣府総合科学技術・イノベーション会議が主導する革新的研究開発推進プログラム（ImPACT）の一環として，大阪大学，高輝度光科学研究センター，東北大学，産業技術総合研究所，物質・材料研究機構らは，電圧により電気的に原子...
2017.06.26
産総研，MRAMの3次元積層プロセスを開発

産業技術総合研究所（産総研）は，内閣府総合科学技術・イノベーション会議（CSTI）が主導する革新的研究開発推進プログラム（ImPACT）の一環として，次世代の不揮発性メモリーである磁気ランダムアクセスメモリ（MRAM）...
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2017.05.17
東芝，磁化反転不揮発性磁気メモリに新書込み方式

内閣府総合科学技術・イノベーション会議が主導する革新的研究開発推進プログラム（ImPACT）の研究開発プログラムの一環として東芝は，電圧書込み方式の不揮発性磁気メモリの新たなアーキテクチャ技術を開発した（ニュースリリー...
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2016.12.05
産総研ら，不揮発性磁気メモリの電圧駆動書込方式を開発

内閣府総合科学技術・イノベーション会議が主導する革新的研究開発推進プログラム（ImPACT）の一環として，東芝と産業技術総合研究所の研究開発チームは，電圧駆動型の不揮発性磁気メモリ「電圧トルクMRAM」の書き込みエラー...
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2016.12.05

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