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メモリ

メモリの記事一覧

全58件中 11〜20件目を表示

  • 東大ら，反強磁性体で垂直2値状態を電流制御

    東京大学と理化学研究所は，不揮発性メモリの超高速化・超低消費電力化を実現可能にする材料として注目を集める反強磁性体において，従来の強磁性体から構成されるMRAMで用いられている垂直2値状態を実現し，この垂直2値状態を電気...

    2022.07.22

  • 京大ら，無磁場下で超伝導ダイオード効果を制御

    京都大学，スイス連邦工科大学，露極東連邦大学は，強磁性体を含む極性超伝導多層膜において，外部磁場を用いずに一方向にのみ電気抵抗がゼロとなる超伝導ダイオード効果を観測した（ニュースリリース）。 物質中に空間反転対称性の破れ...

    2022.07.04

  • 広島大，クロム酸化物とグラフェンの接合界面観測

    広島大学の研究グループは，クロム酸化物Cr2O3とグラフェンの接合界面にスピン偏極した電子状態が新たに形成されることを第一原理計算により見出し，放射光を活用した角度分解光電子分光実験によりこの電子状態が存在することを実証...

    2022.07.01

  • 阪大ら，最高性能のマルチフェロイク材料を達成

    大阪大学と東京工業大学は，スピントロニクスデバイスにおける新たな電圧情報書き込み技術のために，高性能なスピントロニクス界面マルチフェロイク構造を開発し，世界最高レベルの性能指標（磁気電気結合係数）を達成するとともに，電界...

    2022.05.20

  • 東北大，機械学習でデータ書き込み電力を1/100に

    東北大学の研究グループは，超省エネルギー相変化メモリ材料の設計に有効な機械学習を用いた自動最適化フレームワークを開発し，データ書き込み時の消費電力を従来の1/100以下にできる可能性を示唆した（ニュースリリース）。 次世...

    2022.03.25

  • 東北大ら，ファンデルワールス力で異種界面接合

    東北大学，高エネルギー加速器研究機構（KEK），東北大学，神戸大学，東京工業大学，早稲田大学，パリ＝サクレー大学，仏国立研究センターは，六方晶系の二次元物質（グラフェン）と正方晶系の規則合金（L10-FePd）の結晶系の...

    2022.03.02

  • 東北大，5nm以下のMTJ素子で3.5nsの高速書込

    東北大学の研究グループは，高速書き込み動作を特徴づける時定数を制御できる磁気トンネル接合（MTJ）（STT-MRAM の情報記憶素子）の構造を提案し，5nm以下の直径を有するMTJ素子で3.5ナノ秒までの高速書き込み動作...

    2021.12.14

  • 東工大ら，スピン軌道トルク磁気抵抗メモリを作製

    東京工業大学と米カリフォルニア大学ロサンゼルス校は，トポロジカル絶縁体と磁気トンネル接合（MTJ）を集積したスピン軌道トルク磁気抵抗メモリ（SOT-MRAM）素子の作製と，比較的高いトンネル磁気抵抗効果による読み出しおよ...

    2021.11.01

  • 名大，ドメインウォール・スキルミオンを観測

    名古屋大学の研究グループは，磁性体において，様々な物理学分野で存在が予測されてきた「ドメインウォール・スキルミオン」と呼ばれる状態の観測に成功した（ニュースリリース）。 秩序化した領域同士の境界に現れる「ドメインウォール...

    2021.06.11

  • 産総研，300mmウエハーに単結晶記憶素子を集積化

    産業技術総合研究所（産総研）は，不揮発性メモリーMRAM用の単結晶記憶素子をシリコンLSIに集積化する製造プロセス技術を開発した（ニュースリリース）。 不揮発性メモリーMRAMは，酸化マグネシウム（MgO）トンネル障壁を...

    2021.06.02

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