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メモリ

メモリの記事一覧

全58件中 31〜40件目を表示

  • 東大ら，ワイル粒子で反強磁性体メモリを実証

    東京大学，理化学研究所（理研）の研究グループは，反強磁性体中において，幻の粒子「ワイル粒子」の電気的制御に成功し，ワイル粒子の作る巨大電圧信号を利用した不揮発性メモリの動作原理を実証した（ニュースリリース）。 反強磁性体...

    2020.04.21

  • 阪大，磁気ゆらぎを利用し巨大磁気抵抗効果を観測

    大阪大学の研究グループは，フラストレート磁性体と呼ばれる磁気ゆらぎの強い結晶を用いて，単一結晶のみで巨大磁気抵抗効果の観測に初めて成功した（ニュースリリース）。 巨大磁気抵抗効果とは，磁気をもつ鉄やコバルトのような磁性薄...

    2020.03.02

  • 東工大ら，リチウム電池応用のメモリを開発

    東京工業大学，東京大学の研究グループは，全固体リチウム電池と類似した薄膜積層構造を持ち，超低消費エネルギーと多値記録を特徴とするメモリ素子の開発に成功した（ニュースリリース）。 コンピューターの利用拡大とともにエネルギー...

    2019.11.21

  • 原研ら，半導体メモリの電子状態変化を観測

    日本原子力研究開発機構（原研），物質・材料研究機構，高エネルギー加速器研究機構（KEK）の研究グループは，次世代不揮発メモリの材料として期待されるアモルファスアルミ酸化膜において，半導体メモリのまったく新しい動作メカニズ...

    2019.11.15

  • 東北大ら，スピンホール角を正確に評価

    東北大学は，米マサチューセッツ工科大学，物質・材料研究機構の研究グループと共同で，スピンホールトンネル分光法と弱反局在解析を併用することにより，プラチナPt薄膜のスピンホール角を正確に評価することに成功した（ニュースリリ...

    2019.10.23

  • 京大ら，磁壁に対するスピン移行トルク効果を解明

    京都大学，日本大学，米ミズーリ大学，韓国の高麗大学校の研究グループは，反強磁性的な磁化結合をもつフェリ磁性体の磁壁に対して，電流と磁化の相互作用であるスピン移行トルクが与える効果を実験および理論の両面から解明した（ニュー...

    2019.09.27

  • 産総研ら，非対称な人工格子構造で垂直磁化を増強

    産業技術総合研究所（産総研），三重大学，京都大学の研究グループは，韓国の蔚山大学，科学技術院，浦項工科大学，高麗大学校の研究グループと共同で，非対称な人工格子構造が操る垂直磁化の新メカニズムを実証した（ニュースリリース）...

    2019.05.22

  • 電通大ら，電圧による磁壁移動の高速化に成功

    電気通信大学と東京大学，日本原子力研究開発機構は，磁気メモリの高性能化に不可欠である，電圧による磁壁移動の高速化に成功した（ニュースリリース）。 高度情報化社会を迎え，扱われる情報量が爆発的に増加している現在，コンピュー...

    2018.12.26

  • 東北大ら，磁気のない金属からナノ薄膜磁石を作製

    東北大学，産業技術総合研究所（AIST）と共同で，新しいナノ薄膜磁石の開発に成功した（ニュースリリース）。 ナノ薄膜磁石を用いた素子の磁極の向きをビット情報とする不揮発性磁気メモリは，システム・オン・チップ等への応用が進...

    2018.12.10

  • 東大，強誘電体トランジスタとメモリの動作原理を解明

    東京大学は，強誘電体であるHfO2（二酸化ハフニウム）をゲート絶縁膜とするトランジスタが，より低電圧で動作する仕組みを実験的に解明した（ニュースリリース）。 さらにHfO2をトンネル層とする強誘電体トンネル接合（FTJ）...

    2018.12.04

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