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メモリ

メモリの記事一覧

全58件中 21〜30件目を表示

  • 東大ら，IGZOでプロセッサに混載可能なメモリ開発

    東京大学，神戸製鋼所，コベルコ科研は，Snを添加した酸化物半導体IGZOを用いたトランジスタと強誘電体HfO2キャパシタを集積し，プロセッサの集積回路の配線層に混載可能なメモリデバイス技術の開発に成功した（ニュースリリー...

    2021.06.02

  • 東大ら，トポロジカル反強磁性体の信号増強に成功

    東京大学と理化学研究所は，反強磁性体であるマンガン化合物Mn3Snと重金属からなる多層薄膜デバイスの膜界面構造の最適化を試み，電気的に読み書き可能な信号をこれまで報告されていた値よりも3倍大きくすることに成功した（ニュー...

    2021.04.16

  • 東北大，最小・高性能磁気トンネル接合素子を開発

    東北大学は，STT-MRAMの主要構成要素である磁気トンネル接合（MTJ）に新しい構造を採用することで，車載応用に必要とされる高温でのデータ保持特性を維持しながら，DRAMなどのワーキングメモリーの置き換えに必要とされる...

    2020.12.08

  • 東北大ら，30fsのレーザーパルスで極性を反転

    東北大学と仏ロレーヌ大学光は，磁石と電子スピンの相互作用に関する詳細な理解に基づいて，30fsのレーザーパルスで磁石の極性を反転できる新手法を開発した（ニュースリリース）。 人類が生成する情報量は年々指数関数的に増大して...

    2020.10.16

  • 東大ら，ミリ波・THz波による磁気記録方式を開発

    東京大学，大阪大学，富士フイルム，筑波大学，日立ハイテクらは，ミリ波・テラヘルツ波を用いた新しい磁気記録方式「ミリ波磁気記録」の開発に成功した（ニュースリリース）。 磁気記録は，容量を向上させるために磁性粒子のサイズを小...

    2020.10.09

  • 北大ら，光応答性有機メモリの構築法を開発

    北海道大学と国立台湾大学は，ロッドーコイル型有機半導体分子を利用した高性能な光応答性有機メモリデバイスの開発に成功した（ニュースリリース）。 有機半導体から構成されるメモリデバイスは，シリコン系半導体デバイスと比較して，...

    2020.10.09

  • 東工大，強誘電性の窒化物強誘電体を薄膜化

    東京工業大学は，強誘電体の中で最も高い強誘電性を持つことが報告されている窒化アルミニウムスカンジウムについて，スカンジウムを低濃度にすることによって，従来よりも高い強誘電性を発現する膜の作製に成功した（ニュースリリース）...

    2020.09.24

  • NIMS，層状物質を使った光多値メモリを開発

    物質・材料研究機構（NIMS）は，光と電圧の二つの入力値で複数の値を記録できる多値メモリ素子を開発した（ニュースリリース）。 シリコンの微細加工技術だけでは大容量化や省電力化に限界が見えてきたメモリにおいては，従来とは異...

    2020.08.26

  • 東北大，スピンを用いたメモリチップを試作

    東北大学の研究グループは，スピン軌道トルク型磁気トンネル接合（SOT-MTJ）素子とSi-CMOS技術を組み合わせた集積回路技術を用いて，高速なデータの読み書きを可能とするデュアルポート型SOT-MRAMチップを試作し，...

    2020.06.16

  • 東大，IGZOと不揮発性メモリを3D集積

    東京大学の研究グループは，極薄の酸化物半導体IGZOを用いたトランジスタと抵抗変化型不揮発性メモリを三次元集積したデバイスの開発に成功した（ニュースリリース）。 通常のメモリ配列は二次元構造であり，ネットワークのモデルが...

    2020.06.15

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