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トランジスタ

トランジスタの記事一覧

全72件中 31〜40件目を表示

  • 凸版，曲率半径1mmの薄膜トランジスタを開発

    凸版印刷は，曲率半径1mmで100万回屈曲可能な高可撓性/高耐久性と高キャリア移動度を兼ね備える新規構造フレキシブル薄膜トランジスタ（Thin-film-transistor，以下TFT）の開発に世界で初めて成功した（ニ...

    2021.03.16

  • 筑波大，高性能ゲル状電気化学トランジスタを開発

    筑波大学は，幅数十nmの有機半導体ナノファイバー中に，その100倍の重量比のイオン液体を取り込んだゼリー状材料「πイオンゲル」を，電極上にのせるだけで機能する，新しい電気化学トランジスタ「PIGT」（π-ion gel ...

    2020.12.16

  • 産総研ら，2nm世代向け新構造トランジスタを開発

    産業技術総合研究所（産総研）と東北大学は，台湾半導体研究中心（TSRI）らの台湾国際共同研究グループと，2nm世代の電界効果トランジスタ（FET）とされるSiとGeの異種チャネル相補型電界効果トランジスタhCFET（he...

    2020.12.08

  • 東大ら，IGBTのスイッチング損失を62%低減

    東京大学，三菱電機，東芝デバイス&ストレージ，東京工業大学，明治大学，九州大学，九州工業大学は共同で，基板の裏面にもMOSゲート部を有する両面ゲートIGBTを両面リソグラフィプロセスを用いて試作することに成功し...

    2020.12.08

  • 兵県大，分子一層の超薄膜でトランジスタ性能向上

    兵庫県立大学は，新たに開発した金属錯体のコーティング剤を用いて，絶縁膜表面を溶液プロセスで簡便に被覆し，分子一層の超薄膜を作製することに成功した（ニュースリリース）。 柔らかく軽量な有機物質を使った「有機トランジスタ」は...

    2020.11.20

  • 東北大ら，GaN-HEMT動作下のX線分光に成功

    東北大学，住友電気工業，高輝度光科学研究センターは， GaN-HEMTの高周波動作の決定要因の一つである表面電子捕獲の時空間挙動の直接観測及びそのメカニズム解明に初めて成功した（ニュースリリース）。 GaNとその上に成長...

    2020.11.02

  • 東大ら，有機トランジスタの高速応答をモデル化

    東京大学，産業技術総合研究所，物質・材料研究機構らは，有機トランジスタの高速応答特性をモデル化することに成功した（ニュースリリース）。 研究グループではこれまでに，厚さ数分子層（10nm程度）からなる有機半導体単結晶超薄...

    2020.09.25

  • 東北大ら，シンプルなGaN素子に量子ドット観測

    東北大学とロームの研究グループは，シンプルな窒化ガリウム電界効果トランジスタ構造において，量子ドットが形成されることを観測した（ニュースリリース）。 窒化ガリウムおよびその積層構造は，大きな直接バンドギャップ，高い電子密...

    2020.09.24

  • 山梨大ら，高増幅・低オン抵抗トランジスタを開発

    山梨大学と新日本無線は，コレクタ領域をスーパージャンクション（SJ）構造とするシリコンバイポーラトランジスタ（SJ-BJT）の開発に成功した（ニューリリース）。 パワー半導体デバイスを用いた電流開閉装置（ソリッドステート...

    2020.08.31

  • 東大ら，光を用いためっきで有機トランジスタ作製

    東京大学，産業技術総合研究所，物質・材料研究機構の研究グループは，「無電解めっき」を用いて高精細にパターニングされた金電極を有機半導体に貼り付け，高性能を有する有機トランジスタを製造した（ニュースリリース）。 有機半導体...

    2020.08.18

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