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トランジスタ

トランジスタの記事一覧

全72件中 21〜30件目を表示

  • 市大ら，ダイヤと接合したGaNでトランジスタ作製

    大阪市立大学，東北大学，物質・材料研究機構，エア・ウォーターは，ダイヤモンドに接合された窒化ガリウムを熱加工し，トランジスタの作製に成功するとともに放熱性の向上を実証した（ニュースリリース）。 トランジスタ動作時の発熱・...

    2022.03.18

  • NIMSら，複数の論理演算回路を単一有機素子で実現

    東京理科大学と物質・材料研究機構（NIMS）は，アンチ・アンバイポーラトランジスタと呼ばれる特殊な有機トランジスタを用い，5つの2入力論理演算回路（AND，OR，NAND，NOR，XOR）を単一トランジスタで実証すること...

    2022.03.10

  • 島根大，世界最高の酸化物薄膜トランジスタを実現

    島根大学と高知工科大学は，低温（～300℃）で固相結晶化した水素化多結晶酸化インジウム（In2O3:H）薄膜の半導体への転移に成功し，酸化物半導体薄膜トランジスタ（TFT）にて世界最高の電界効果移動度139.2cm2V-...

    2022.03.03

  • NIMS，高移動度ダイヤモンドトランジスタを実現

    物質・材料研究機構（NIMS）は，ダイヤモンド電界効果トランジスタを新しい設計指針に基づいて作製し，高い正孔移動度とノーマリオフ動作を示すことを実証した（ニュースリリース）。 ダイヤモンドは，ワイドバンドギャップ半導体と...

    2022.01.18

  • NIMSら，室温で量子輸送可能なCNTトランジスタ

    物質・材料研究機構（NIMS）らの研究グループは，個々のカーボンナノチューブ（CNT）に対して局所的にらせん構造を変化させ，金属-半導体転移を制御することにより，CNT分子内トランジスタの作製に成功した（ニュースリリース...

    2021.12.24

  • ソニー，イメージセンサー画素にトランジスタ積層

    ソニーセミコンダクタソリューションズは，世界初となる2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術の開発に成功したと発表した（ニュースリリース）。 積層型CMOSイメージセンサーは，裏面照射型画素が形成された画素...

    2021.12.17
  • 産総研，GaN/SiCハイブリッドトランジスタを作製

    産総研，GaN/SiCハイブリッドトランジスタを作製

    産業技術総合研究所（産総研）は，窒化ガリウム（GaN）を用いた高電子移動度トランジスタと炭化ケイ素（SiC）を用いたPNダイオードの両者をモノリシックに一体化した，ハイブリッド型トランジスタの作製と動作実証に初めて成功し...

    2021.12.13

  • 東北大ら，モットトランジスタの原理検証に成功

    東北大学と高エネルギー加速器研究機構は，量子井戸間の共鳴トンネル効果を利用した新しい原理で動作するモットトランジスタを開発した（ニュースリリース）。 モット絶縁体における電気を流さない「電子固体」と電気を流す「電子液体」...

    2021.12.10

  • 阪大ら，光照射でフレキシブル集積回路特性を制御

    大阪大学とオーストリアJoanneum研究所は，光照射によるフレキシブル有機トランジスタ集積回路特性の制御技術の開発に成功した（ニュースリリース）。 フレキシブル電子デバイスは，無意識下のウェアラブル生体計測を実現するた...

    2021.09.22

  • 東大ら，IGZOでプロセッサに混載可能なメモリ開発

    東京大学，神戸製鋼所，コベルコ科研は，Snを添加した酸化物半導体IGZOを用いたトランジスタと強誘電体HfO2キャパシタを集積し，プロセッサの集積回路の配線層に混載可能なメモリデバイス技術の開発に成功した（ニュースリリー...

    2021.06.02

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