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トランジスタ

トランジスタの記事一覧

全72件中 11〜20件目を表示

  • 静岡大ら，トランジスタ上で電子正孔共存系を形成

    静岡大学と島根大学は，シリコン・トランジスタの電気的制御により同トランジスタ上で電子と正孔を同時に存在させることに成功した（ニュースリリース）。 半導体上で電子と正孔が同時に存在する多体系（電子正孔共存系）では，その密度...

    2023.11.09

  • 東大，強誘電体トランジスタを用いた光位相器を開発

    東京大学の研究グループは，化合物半導体薄膜をシリコン光導波路上に貼り合わせた光位相器を，強誘電体をゲート絶縁膜としたトランジスタで駆動する新たな手法を考案し，強誘電体をメモリとして用いることで，電源をオフにしても光位相の...

    2023.10.10

  • 理科大ら，神経回路に類似したトランジスタを開発

    東京理科大学と物質・材料研究機構は，タングステン酸リチウム（LixWO3）薄膜とリチウムイオン伝導性ガラスセラミック（LICGC）基板の酸化還元反応を利用し，神経回路に類似した電気特性を再現できる新たなトランジスタの開発...

    2023.07.03

  • 筑波大，800℃超で安定動作する半導体素子を開発

    筑波大学の研究グループは，窒化アルミニウム（AlN）半導体を用いることで，ダイオードを827°Cまで，トランジスタを727°Cまでの高温環境下で，安定に動作させることに成功した（ニュースリリース）。 Si半導体は，室温で...

    2023.06.30

  • 東大ら，ナノシート酸化物半導体トランジスタを開発

    東京大学と奈良先端科学技術大学院大学は，原子層堆積法を用いて酸化物半導体のナノ薄膜を成膜する技術により，低温で形成可能なナノシート酸化物半導体をチャネル材料とする高性能で高信頼性なトランジスタの開発に成功した（ニュースリ...

    2023.06.09

  • 東大，酸化物素子で巨大磁気抵抗と電流変調を実現

    東京大学の研究グループは，スピントランジスタの基本となる強磁性体／半導体／強磁性体構造からなる横型2端子素子を単結晶酸化物を用いて作製することにより，従来の10倍以上の大きな磁気抵抗比を得ることに成功し，ゲート電圧による...

    2023.06.01

  • 北大，全固体電気化学熱トランジスタを開発

    北海道大学の研究グループは，熱の伝わり方を電気スイッチで切り替える全固体電気化学熱トランジスタを実現した（ニュースリリース）。 「熱流」のオンとオフを切替えることができる「熱トランジスタ」が実現すれば，電子機器から放出さ...

    2023.02.22

  • 名大ら，金属炭化物のドライエッチングに成功

    名古屋大学，日立製作所，日立ハイテクは，フローティングワイヤープラズマへのアンモニア水蒸気導入により，3元金属炭化物（TiAlC）の表面変質層を形成し，この材料を揮発除去するドライエッチングに成功した（ニュースリリース）...

    2022.12.19

  • KEKら，有機トランジスタ内の電子の動きを可視化

    高エネルギー加速器研究機構（KEK）と筑波大学は，フェムト秒パルスレーザーを励起光源とする光電子顕微鏡法（フェムト秒光電子顕微鏡）を用い，トランジスタの動作環境下における伝導電子の動きの可視化に世界で初めて成功した（ニュ...

    2022.06.22

  • NIMSら，有機トラジスタを流れる電子を可視化

    物質材料研究機構（NIMS），筑波大学，高エネルギー加速器研究機構は，室温で桁違いに大きなドレイン電流の増減現象（負性抵抗）を示す有機pn接合トランジスタの負性抵抗の起源について，光電子顕微鏡による“伝導電子を可視化”す...

    2022.06.03

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