NIMSら,有機トラジスタを流れる電子を可視化


物質材料研究機構(NIMS),筑波大学,高エネルギー加速器研究機構は,室温で桁違いに大きなドレイン電流の増減現象(負性抵抗)を示す有機pn接合トランジスタの負性抵抗の起源について,光電子顕微鏡による“伝導電子を可視化”する技術により明らかにした(ニュースリリース)。

トランジスタがオン状態では,面内pn接合界面で形成される急峻な電位変化により,電子伝導が助長されること,またオフ状態ではp型あるいはn型半導体全体が空乏化し,電子の流れを阻害することで負性抵抗が発現することを明らかにしたとしている。

その他関連ニュース

  • 公大,手術中の末梢神経の血流状態を可視化 2024年10月02日
  • 公大,効率化したフローとAIで新規有機半導体を合成 2024年10月01日
  • 北大ら,安定性の高い酸化物薄膜トランジスタを実現 2024年08月08日
  • 理科大,電子移動過程を可視化するナノチューブ作製 2024年06月06日
  • 筑波大ら,入れ子状物質の光照射で電子の抜け道発見 2024年06月04日
  • 都立大ら,蛍光XAFSにTESを適用しウラン分布を把握 2024年04月10日
  • 産総研,ファインセラミックス欠陥の可視化技術開発 2024年03月11日
  • QSTら,元素比が崩れた結晶で高電子移動度を実証 2024年02月22日