imecは、化学増幅型レジスト（CAR）を用いたHigh NA EUV（高開口数極端紫外線）リソグラフィーにおいて、最小22nmピッチのライン／スペース構造を単一露光でパターニングできることを実証したと発表した（ニュースリリース）。
High NA EUVリソグラフィーは、半導体のさらなる微細化を実現し、AIやHPC（ハイパフォーマンス・コンピューティング）向けの高密度なコンピューティングを支える技術として期待されている。imecのロジック技術ロードマップでは、A14/A10ロジック・ノードでの導入が予定されており、微細なピッチを安定して形成するためのレジスト材料やプロセス技術の確立が重要となっている。
imecはこれまで、ASMLや材料サプライヤー、パターニング関連のパートナーと連携し、High NA EUVに対応したレジストおよびプロセス技術の開発を進めてきた。2026 IEEE International Interconnect Technology Conference（IITC）では、CARを用いたHigh NA EUV単一パターニングにより、28nmピッチのライン構造を形成し、その電気的特性を評価した結果を報告している。1.8m長のeテスト用金属化構造において良好なコンボ歩留まりが得られたことから、CARおよびエッチング・ケミストリーのさらなる最適化につながる成果としている。
今回の実証では、CARの適用範囲をさらに広げ、22nmピッチのライン／スペース構造を1回のHigh NA EUV露光で形成した。最小22nmピッチのミアンダ（曲折）およびフォーク（分岐）形状のeテスト構造において、良好なパターン忠実度を確認した。
さらに、先進ロジック・ノードの設計を想定した狭ピッチの金属配線やビア構造についてもパターニングを実証。具体的には、先端間距離（T2T）26nmの24nm SRAMレイアウト、T2T 28nmの24nm自動配置配線（APR）構造、中心間距離28nmのランダム・ロジック用ビアなどを形成した。
imecによると、これらの結果は、High NA EUVと既存のCAR技術を組み合わせた単一パターニングを、A14/A10ロジック・ノードの複数のクリティカル層へ適用できる可能性を示すもの。対象には、Metal-2層、ビア層、MD（ソース／ドレイン拡散層と第1金属配線層を接続する層）が含まれる。
imecは今後も、ASMLおよび材料・パターニング関連のパートナーと連携し、既存CARの性能向上に加え、新規レジスト材料・プロセスやエッチング技術の検証を進めるという。これらを通じて、High NA EUVリソグラフィーの産業導入に向けたパターニング技術の確立を目指すとしている。
