ラムリサーチのドライレジスト,EUVに適格と評価

米ラムリサーチは,同社のドライフォトレジスト(ドライレジスト)技術が2nmおよび2nm以下のロジック回路におけるバックエンド・オブ・ライン(BEOL)の,28nmピッチのダイレクトプリントに適格であると,半導体研究機関のベルギーimecに認定されたと発表した(ニュースリリース)。

半導体メーカーが先進的な技術ノードに移行する中で,トランジスタの形状やピッチサイズはますます微細化している。意欲的な次世代デバイスのロードマップでは,スケーリングを可能にするために,28nmピッチのBEOLのダイレクトプリントが必要とされている。

ピッチサイズが小さくなるとパターン解像度が低下することがあるが,同社のドライフォトレジスト技術は,EUV露光量(コスト)と欠陥率(歩留まり)の間に存在する相反関係を克服し,パターニングを最適化できるとする。

imecでは,同社の28nmピッチドライフォトレジストプロセスは低NA(開口数)EUVスキャナーと評価を進めているが,高NA EUVスキャナーへの適用も可能だという。この技術により,EUV感度と各ウエハーパス(製造工程)の解像度が向上し,コスト,性能,歩留まりが改善されるとする。

また,ドライレジストは,従来のウェット化学レジストプロセスと比較して,エネルギー消費を抑え,原材料の使用量を5~10分の1に削減することで,サステナビリティの観点でも高い優位性を示す。競争力のあるコストで極めて低い欠陥率を達成しウェットレジスト材料を上回る性能を発揮するとしている。

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