理研,酸化物界面におけるスキルミオンの電界制御に成功

理化学研究所(理研)の研究グループは,原子レベルで制御可能な酸化物界面において,磁化とスキルミオンに由来する輸送特性を電界で大きく制御することに成功し,スピントロニクスデバイス設計の新たな指針を見いだした(ニュースリリース)。

電子の持つスピンをエレクトロニクスに役立てるスピントロニクスが注目を集めている。そのためにスピンと電子の運動を結びつけるスピン-軌道相互作用が重要な因子となっており,なかでも異常ホール効果とトポロジカルホール効果という2種類のホール効果がスピン-軌道相互作用に由来する興味深い磁気輸送現象として盛んに研究されている。

この二つの効果を高密度スピントロニクスデバイスに展開するには,磁界や電流注入ではなく電界で制御することが必要になる。しかし,電界が遮蔽される金属強磁性体(磁石)においてはそれが困難であるという問題があった。

今回,研究グループは,強磁性体SrRuO3による異常ホール効果に加えて,非磁性体SrIrO3の強いスピン-軌道相互作用から生成されるスキルミオンに由来するトポロジカルホール効果も示す界面構造を,SrTiO3基板上に作製した。

原子レベルで薄膜の積層を制御し,SrRuO3とSrIrO3の積層の順序を入れ替えたところ,SrRuO3/SrIrO3/SrTiO3の順で積層したときのみ,異常ホール効果とトポロジカルホール効果の両方で電界効果が観測された。

SrTiO3基板はゲート絶縁体を兼ねるため,今回の観測は強磁性体とゲート絶縁体との間に強いスピン-軌道相互作用を持つ物質を挿入することで,強い電界効果を実現できることを意味しているという。

この成果は今後,磁化やスキルミオンを磁気メモリとして使う際の設計指針となることが期待できる。また,スピン-軌道相互作用に由来する現象はホール効果以外にも数多く存在するため,それらを電界で制御しデバイスへ応用する際にも有用な成果といえるとしている。

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