九州大学，ギガフォトン，レーザー技術総合研究所らは，次世代の半導体露光（リソグラフィ）で使われる極端紫外（EUV）光源プラズマに対して，その温度や密度の空間構造を世界で初めて明らかにした（ニュースリリース）。
EUV露光とは，非常に短い波長（13.5㎚）の光を用いるリソグラフィ技術で，従来技術では難しかった半導体の微細加工が可能となる。そのため，Mooreの法則（半導体の微細化は3年で4倍になる）を維持する最重要技術といわれている。
しかしその実用化・普及には，必要な波長域で圧倒的に強く光る光源（温度が30万度程のプラズマ）が必要。研究ではレーザートムソン散乱法という手法を用いて，5ナノ秒の時間分解と，20㎛の空間分解で，EUV光源の温度や密度の2次元空間分布計測を可能とした。
その結果，明るいEUV光源では，中心部の密度が低い「中抜け」の様な状態であり，この特徴的な密度構造が，優れた光源の実現に本質的に重要であることを示した。光源構造が解明されたことで，今後，EUV露光装置の高出力化が促進されることが期待されるとしている。
