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  • 上智大,Si基板レーザーで化合物半導体と同等のしきい値電流密度を実現

    上智大学は,高機能・高集積光デバイス集積化を支える異種材料貼り合わせ技術を用いて,シリコン基板上の半導体レーザーにおいて化合物半導体上と同等のしきい値電流密度を得ることに成功した(ニュースリリース)。 近年,光インターコ...

    2018.03.20
  • 筑波大ら,リチウム内包フラーレンの電子状態を解明

    筑波大学は,量子科学技術研究開発機構,イデア・インターナショナルらと共同で,次世代材料として期待される内包フラーレンの電子状態を分子レベルで直接観察し,その詳細な解析に成功した(ニュースリリース)。 研究では,リチウム内...

    2018.03.20
  • 京大ら,らせん状ナノグラフェン分⼦を初めて合成

    京都⼤学と⼤阪⼤学は共同で,π(パイ)拡張ヘリセン―らせん状ナノグラフェン分⼦の合成に世界で初めて成功した(ニュースリリース)。 グラフェンは,優れた電荷および熱伝導特性を⽰し,その部分構造である多環芳⾹族炭化⽔素は,ナ...

    2018.03.20
  • 産総研,特殊な高分子薄膜を常温・大気中・大面積形成

    産業技術総合研究所(産総研)は,特殊な構造の高分子薄膜(ポリマーブラシ)を基材表面に作製する上で重要な役割を果たす重合開始層を,常温・大気中・大面積で容易に形成できる技術を開発した(ニュースリリース)。 高分子を基材表面...

    2018.03.20
  • 東大,ガラス形成物質のダイナミクスを解明

    東京大学の研究グループは,ガラス転移点の近くで,液体の粒子の動きが急激に遅くなり,粘性が何桁にもわたって増大して流れにくくなる起源を探るべく研究を行ない,ダイナミクスを遅くする液体中の構造をあぶりだすことに成功した(ニュ...

    2018.03.19
  • 近大,イメージセンサで光の飛翔を初めて撮影

    近畿大学は世界で初めて,イメージセンサを用いて飛翔する光の連続撮影に成功した(ニュースリリース)。 同大は,科学技術振興機構のA-STEP事業の支援を受け,立命館大学,アストロデザインと協力して,1億枚/秒の時間分解能(...

    2018.03.19
  • 慶大ら,量子ドット技術で新規通信波長帯(Tバンド)を開拓

    慶大ら,量子ドット技術で新規通信波長帯(Tバンド)を開拓

    慶應義塾大学は,パイオニア・マイクロ・テクノロジー,光伸光学工業,オプトクエストと共同で,TバンドとOバンドの約80THzに及ぶ広大な波長資源を活用できる波長ルーティングシステムの実証実験に成功した(ニュースリリース)。...

    2018.03.19
  • 首都大,配向大面積CNT薄膜に特異な光吸収特性を発見

    首都大学東京は,一方向に配向した単層カーボンナノチューブ(CNT)の大面積薄膜に高密度にキャリア(電子・正孔)を注入制御し,これまで発見されていなかったCNT軸に垂直方向の巨大な光吸収現象を見いだすことに成功した(ニュー...

    2018.03.19
  • 名大ら,細胞ラベリング用低毒性量子ドットを開発

    名古屋大学の研究グループは,村田製作所の開発・製造ならびに、富士フイルムグループ和光純薬工業と共同で,4K,8Kディスプレイーや太陽電池に応用されている最先端量子ドット技術を駆使して開発したiPS細胞等の幹細胞の高感度イ...

    2018.03.19

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