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MOSFETの記事一覧

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  • 金沢大ら，完全原子的平坦ダイヤモンドMOSFE作製

    金沢大学，産業技術総合研究所，独Diamond and CarbonApplicationsは，世界で初めて完全に平坦なダイヤモンド表面をMOS界面に有するダイヤモンドMOSFETの作製に成功した（ニュースリリース）。 ...

    2025.02.21

  • NIMS，ダイヤモンド電界効果トランジスタを開発

    物質・材料研究機構（NIMS）は，世界で初めてダイヤモンドのn型チャネル動作による金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を開発した（ニュースリリース）。 ダイヤモンドCMOSを実現するには，シリコン半導体と...

    2024.01.26

  • PDSら，ノーマリ・オフ ダイヤモンドMOSFET開発

    次世代ダイヤモンド半導体パワーデバイス・高周波デバイスの研究開発を行なうPDSと早稲田大学は，チャネル移動度（ホール）150cm2/V·s，閾値電圧3~5V程度の酸化シリコン終端（C-Si-O終端）構造によるノーマリ・オ...

    2024.01.19

  • 産総研，SiCモノリシックパワーICを開発

    産業技術総合研究所（産総研）は，炭化ケイ素（SiC）半導体を用い，耐電圧1.2kVクラスの縦型MOSFETと，CMOSで構成された駆動回路を同一チップに集積したモノリシックパワーICを世界で初めて実現し，そのスイッチング...

    2021.05.31

  • 金沢大ら，ダイヤモンド-on-SiでMOSFETを作製

    金沢大学，産業技術総合研究所，独フランホーファー研究機構は共同で，単結晶シリコン上にヘテロエピタキシャル成長によるダイヤモンド膜から作製したダイヤモンド自立基板を用いて反転層チャネルMOSFETを作製し，その動作実証に世...

    2020.12.09

  • 山梨大ら，高増幅・低オン抵抗トランジスタを開発

    山梨大学と新日本無線は，コレクタ領域をスーパージャンクション（SJ）構造とするシリコンバイポーラトランジスタ（SJ-BJT）の開発に成功した（ニューリリース）。 パワー半導体デバイスを用いた電流開閉装置（ソリッドステート...

    2020.08.31

  • 東芝ストレージ，保護機能内蔵フォトカプラ出荷

    東芝デバイス＆ストレージは，産業用インバーターや太陽光発電用パワーコンディショナーなど向けに，コレクター電圧モニターによる過電流検出機能など各種機能を内蔵した中大電流IGBT/MOSFETプリドライブ用フォトカプラ「TL...

    2020.03.11
  • 京大ら，酸化ガリウムでノーマリーオフ型MOSFETを開発

    京大ら，酸化ガリウムでノーマリーオフ型MOSFETを開発

    京都大学と京都大発ベンチャーのFLOSFIAは共同で，新規材料によるパワーデバイスとして，コランダム構造の酸化ガリウム（Ga2O3）を用いた絶縁効果型トランジスタ（MOSFET）を開発し，ノーマリーオフ動作を実証すること...

    2018.08.20

  • NIMS，ダイヤモンド論理回路チップを開発

    物質・材料研究機構（NIMS）は，過酷環境下に強いダイヤモンド集積回路を開発するための第一歩として，2種類の動作モードを持つ金属—酸化物—半導体（MOS）電界効果トランジスタ（FET）を組み合わせたダイヤモンド論理回路チ...

    2017.06.01

  • 金沢大ら，反転層型ダイヤMOSFETの動作実証に成功

    金沢大学は産業技術総合研究所，デンソーとの共同研究により，世界で初めてダイヤモンド半導体を用いた反転層チャネルMOSFETを作製し，その動作実証に成功した（ニュースリリース）。 ダイヤモンドは，パワーデバイス材料の中で最...

    2016.08.27

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