次世代ダイヤモンド半導体パワーデバイス・高周波デバイスの研究開発を行なうPDSと早稲田大学は，チャネル移動度（ホール）150cm2/V·s，閾値電圧3~5V程度の酸化シリコン終端（C-Si-O終端）構造によるノーマリ・オフ型ダイヤモンドMOSFETを開発した（ニュースリリース）。
水素終端構造を用いたダイヤモンドMOSFETの研究開発は世界中で行なわれているが，2DHG（2次元ホールガス）の存在により，基本的にノーマリ・オン（ゲート電圧が0Vのときにトランジスタがオン状態）動作になる。
パワーエレクトロニクス応用を想定した場合，フェールセーフ（正常な動作がしなくなったときに安全な状態で停止させるアプローチ）の観点から，一般的にノーマリ・オフ（ゲート電圧が0Vのときにトランジスタがオフ状態）動作が望まれる。この課題に対し，PDSは，パワーエレクトロニクス応用を見据え，酸化シリコン終端構造によるノーマリ・オフ化技術の開発を進めてきた。
横型の酸化シリコン終端構造ダイヤモンドMOSFETの最大ドレイン電流は300mA/mm以上，縦型の酸化シリコン終端構造ダイヤモンドMOSFETの最大ドレイン電流は200mA/mm以上を達成し，いずれもノーマリ・オフ型ダイヤモンドMOSFETの最高値だという。さらに，チャネル移動度（ホール）は，次世代半導体として社会実装が進むSiCに匹敵する値が得られた。
また，表面をC-Si-O結合で覆うことで従来のC-H表面に比べて，高温や酸化に強い安定なデバイスとなったと考えているという。C-Si-O表面は，SiやSiCの表面と同様で，製造工程でSiやSiCと同様の手法が使え，量産性にも適している。
PDSは，ダイヤモンド半導体の普及，実用化に向けたダイヤモンドMOSFETの研究開発を強化していくとしている。
