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InPの記事一覧

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  • OKIら，異種材料接合でテラヘルツデバイス量産確立

    OKIとNTTイノベーティブデバイスは，結晶薄膜を剥離し，異なる材料の基板やウエハーに異種材料接合するOKI独自の技術であるCFB（Crystal Film Bonding）技術を用いて，InP系UTC-PD（単一走行キ...

    2025.07.18

  • OKI，300mmシリコンウエハーに異種材料集積を実現

    OKIは，同社独自技術であるCFB（Crystal Film Bonding）技術を用いたタイリングCFB技術を開発した（ニュースリリース）。 近年，AIの急速な発展によりデータセンター需要が拡大し，処理能力拡大と消費電...

    2025.07.17

  • Coherent，世界初6インチInPウエハーを製造

    米Coherentは，世界初の6インチInPウエハー製造を開始したと発表した（ニュースリリース）。 ウエハーは大きくなれば，ウエハーあたりのデバイス数を増やすことができるため，ファブの全体的な生産能力を拡大して，AIイン...

    2025.02.19

  • 東レ，シリフォト向けInP高速実装技術を開発

    東レは，光通信技術（シリコンフォトニクス）に用いられる光半導体（InP（インジウムリン）等）をシリコン基板上に実装するための材料および技術を開発した（ニュースリリース）。 AIの進展による高速通信の拡大により，電気通信よ...

    2024.10.25

  • 古河電工，DFBレーザーダイオードチップを量産化

    古河電気工業は，業界最高水準の光出力を誇る100mWのDFBレーザーダイオードチップについて，2024年1月より量産を開始すると発表した（ニュースリリース）。 クラウドサービスの普及や生成AIの登場を背景にデータセンタな...

    2023.09.25

  • NTT，InP化合物超高速IC技術をオープン化

    日本電信電話（NTT）は，研究所内の最先端のInP化合物半導体R&Dプロセスによる超高速IC技術をオープン化し，パートナーとのコラボレーションを通じた技術のさらなる進化をめざす（ニュースリリース）。 NTTは通...

    2017.02.08

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