日本電信電話（NTT）は，研究所内の最先端のInP化合物半導体R&Dプロセスによる超高速IC技術をオープン化し，パートナーとのコラボレーションを通じた技術のさらなる進化をめざす（ニュースリリース）。
NTTは通信の大容量化をめざし，シリコンよりも高速化や高出力化が可能なInP化合物半導体プロセスを用いる超高速IC技術の研究開発を進めてきた。これまで，300GHz帯を用いた数十Gb/sの伝送速度を有するテラヘルツ無線用小型無線機による2GB/ｓの高速データ転送や，光通信送信機の出力信号速度を倍にする帯域ダブラにより，データセンター等で使われる将来の短距離大容量通信において250Gb/sの伝送を実証してきた。
この技術により，世界トップレベルの動作速度を有する化合物半導体R&Dプロセスを用いた超高速ICを実現できる。例えば，シリコンCMOSを凌駕するfT/fmax=400/450GHzの特性を有するInP HBTによるシリコン技術の倍の広帯域特性のICなど，シリコンではできない超高速アナログICが実現可能だという。
今回，このInP化合物半導体R&Dプロセスを用いる超高速IC技術をパートナーにオープン化する。2017年にコラボレーションをするパートナーを募り，2018年にプロセスデザインキット（PDK）を配布し，最先端化合物半導体R&DプロセスでのIC化を支援しながら，超高速ICを用いた新サービスや新産業の創出と，超高速IC技術のさらなる進化をめざす。
