ノーマリーオフ

ノーマリーオフの記事一覧

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PDSら，ノーマリ・オフダイヤモンドMOSFET開発

次世代ダイヤモンド半導体パワーデバイス・高周波デバイスの研究開発を行なうPDSと早稲田大学は，チャネル移動度（ホール）150cm2/V·s，閾値電圧3~5V程度の酸化シリコン終端（C-Si-O終端）構造によるノーマリ・オ...
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2024.01.19
新日本無線，反射型センサーのサンプル配布を開始

新日本無線は，ボタンをタッチレス化する反射型センサー「NJL5830」のサンプル配布を開始した（ニュースリリース）。サンプル価格は600円で2021年4月の量産開始を予定している。この製品は，高出力の赤外LEDと受光I...
2021.03.16
京大ら，酸化ガリウムでノーマリーオフ型MOSFETを開発

京都大学と京都大発ベンチャーのFLOSFIAは共同で，新規材料によるパワーデバイスとして，コランダム構造の酸化ガリウム（Ga2O3）を用いた絶縁効果型トランジスタ（MOSFET）を開発し，ノーマリーオフ動作を実証すること...
2018.08.20
産総研，最高性能の半導体系TMR素子を開発

産業技術総合研究所（産総研）は，独自に開発した単結晶酸化ガリウム（Ga2O3）の成膜プロセスを用いて，半導体Ga2O3をトンネル障壁層とした単結晶だけからなるトンネル磁気抵抗（TMR）素子を開発した（ニュースリリース）。...
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2016.09.20

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